DS1856M
不推荐用于新设计双通道、温控电阻,提供经过校准的监测器和加密保护
引脚兼容于业内领军产品DS1856 (内置256字节A0存储器)
- 产品模型
- 4
产品详情
- 兼容SFF-8472
- 13位ADC
- 双路线性、256抽头、非易失温度控制电阻,2°C精度
- 三级密码保护
- 可读取监测信息及ID信息,具有独立的器件地址
- 2线串行接口
- 双缓存提供TTL/CMOS兼容输入和漏极开路输出
- 3.3V至5V供电
- -40°C至+95°C工作温度范围
DS1856M双路、温控、非易失(NV)可变电阻具有3路监测器,内置2个256抽头、线性可变电阻;3路模拟监测器输入(MON1、MON2、MON3)和直接转换成数字信号的温度传感器。这款器件理想用于偏置电压、电流的设置和温度补偿,适用于小尺寸控制系统设计。可变电阻配置保存在EEPROM存储器,可通过2线串行总线访问。
DS1856M在A2h从地址、00/01表内具有128字节EEPROM存储器,DS1856M还提供三级密码保护。DS1856-01包括256字节A0h EEPROM存储器。DS1856B-M50+和DS1856E-M50+可分别替代DS1856B-050+和DS1866E-050+。器件新增功能包括:A0h地址的256字节EEPROM、可选择MON2/MON3基准、13位ADC。这些功能默认向下兼容于DS1856B-050+/DS1856E-050+。
应用
- 诊断监视
- 仪表与工业控制
- 光收发器
- 光发射机应答设备
- 射频功放
参考资料
数据手册 1
可靠性数据 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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DS1856B-M50+ | Chip-Scale Ball-Grid Array | ||
DS1856B-M50+T&R | Chip-Scale Ball-Grid Array | ||
DS1856E-M50+ | Thin Shrink Small-Outline Package | ||
DS1856E-M50+T&R | Thin Shrink Small-Outline Package |
产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
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12月 11, 2018 - 1754N ASSEMBLY |
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DS1856E-M50+ | 量产 | |
DS1856E-M50+T&R | 量产 |
这是最新版本的数据手册
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