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DS1350W: 3.3V、4096K非易失SRAM，带有电池监测器 Data Sheet (Rev. 3)1/1/1900PDF211K
概览
优势和特点
- 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
- 掉电期间数据被自动保护
- 当VCC电压跌落时，电源监视器能够复位处理器、并在VCC上升期间持续保持处理器的复位状态
- 电池监视器核查剩余电量
- 100ns的读写存取时间
- 没有写次数限制
- 典型待机电流50µA
- 可升级512k x 8 SRAM、EEPROM或闪存
- 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
- 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
- PowerCap模块(PCM)封装
- 表面贴装模块
- 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
- 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
- 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸
产品详情
DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外，DS1350W器件具有监视VCC状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1350W器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代512k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。
产品分类
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
参考资料
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非易失存储器的替代规则4/27/2011
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Timing Considerations When Using NVSRAM3/20/2006
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Battery Monitoring in NV SRAM Modules6/28/2004
-
NV SRAM Frequently Asked Questions5/14/2002
设计资源
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