DS1330Y
Info : 推荐新设计使用
searchIcon
cartIcon

DS1330Y

256k非易失SRAM,带有电池监控器

更多 showmore-icon

Info : 推荐新设计使用 tooltip
Info : 推荐新设计使用 tooltip
产品模型 1
特性
  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 当VCC电压跌落时,电源监视器能够复位处理器、并在VCC上升期间持续保持处理器的复位状态
  • 电池监视器核查剩余电量
  • 100ns的读写存取时间
  • 没有写次数限制
  • 典型待机电流50µA
  • 可升级32k x 8 SRAM、EEPROM或闪存
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10% VCC工作范围(DS1330Y)或±5% VCC工作范围(DS1330AB)
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND
  • PowerCap模块(PCM)封装
    • 表面贴装模块
    • 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
    • 所有NV SRAM器件提供标准引脚
    • 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸
更多细节
show more Icon

DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外,DS1330器件具有监视VCC状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1330器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代32k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。

产品模型 1

产品技术资料帮助

close icon

ADI公司所提供的资料均视为准确、可靠。但本公司不为用户在应用过程中侵犯任何专利权或第三方权利承担任何责任。技术指标的修改不再另行通知。本公司既没有含蓄的允许,也不允许借用ADI公司的专利或专利权的名义。本文出现的商标和注册商标所有权分别属于相应的公司。

参考资料

产品型号 引脚/封装图-中文版 文档 CAD 符号,脚注和 3D模型
DS1330YP-70+
  • HTML
  • HTML

软件和型号相关生态系统

最新评论

需要发起讨论吗? 没有关于 ds1330y的相关讨论?是否需要发起讨论?
在论坛上发起讨论

近期浏览