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4096k非易失SRAM

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2668: 4096k非易失SRAM Data Sheet

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产品模型 5
特性
  • 无外部电源时最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 替代512k x 8易失静态RAM、EEPROM及闪存
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 70ns的读写存取时间
  • 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10% VCC工作范围(DS1250Y)
  • 可选择的±5% VCC工作范围(DS1250AB)
  • 可选的工业级温度范围：-40°C至+85°C，指定为IND
  • JEDEC标准的32引脚DIP封装
  • PowerCap模块(PCM)封装
    • 表面贴装模块
    • 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
    • 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
    • 分离的PCM用常规的螺丝起子便可方便拆卸
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DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1250器件可以直接用来替代现有的512k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、32引脚DIP标准。 PowerCap模块封装的DS1250器件为表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

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DS1250AB

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更新 12/06/2010
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DS1250AB-DS1250Y: 4096k Nonvolatile SRAM Data Sheet (Rev.4)

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2668: 4096k不揮発性SRAM Data Sheet

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更新 09/11/2008
英文
Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM redirect icon

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更新 03/27/2009
英文
How to Replace a DS1213 SmartSocket with an Equivalent-Density NV SRAM Module redirect icon

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HTML

更新 01/12/2011
英文
Substitution Rules for Nonvolatile Memory Components redirect icon

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更新 04/27/2011
中文
非易失存储器的替代规则 redirect icon

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更新 03/14/2011
英文
Lithium Battery Content in Maxim Products redirect icon

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更新 07/24/2011
中文
Maxim产品中的内嵌锂电池\r\n redirect icon

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更新 03/14/2011
日文
マキシム製品におけるリチウムバッテリ redirect icon

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更新 03/20/2006
英文
Timing Considerations When Using NVSRAM redirect icon

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产品技术资料帮助

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参考资料

ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。

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DS1250AB-100IND+ N/A
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DS1250AB-70+ Encapsulated Dual-In-Line Module external-link
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DS1250AB-70IND+ Encapsulated Dual-In-Line Module external-link
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DS1250ABP-100+ PowerCap Module external-link
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