DS1245AB
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DS1245AB

1024k非易失SRAM

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产品详情
产品模型 7
特性
  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 替代128k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS
  • 70ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10% VCC工作范围(DS1245Y)
  • 可选择±5% VCC工作范围(DS1245AB)
  • 可选的工业级温度范围为-40°C至+85°C,指定为IND
  • JEDEC标准的32引脚DIP封装
  • PowerCap模块(PCM)封装
    • 表面贴装模块
    • 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
    • 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
    • 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸
更多细节
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DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1245器件可以用来替代现有的128k x 8静态RAM,符合通用的单字节宽、32引脚DIP标准。PowerCap模块封装的DS1245器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

产品模型 7

产品技术资料帮助

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参考资料

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产品型号 引脚/封装图-中文版 文档 CAD 符号,脚注和 3D模型
DS1245AB-100+
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