概览

优势和特点

  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 直接替代8k x 8易失静态RAM或EEPROM
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • JEDEC标准的28引脚DIP封装
  • 70ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10% VCC工作范围(DS1225AD)
  • 可选择±5% VCC工作范围(DS1225AB)
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND

产品详情

DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM,按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。NV SRAM可以用来直接替代现有的8k x 8 SRAM,符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。这些器件还与2764 EPROM及2864 EEPROM的引脚排列匹配,可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

产品生命周期 icon-recommended 量产

该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计,但也可能有更新的替代产品。

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