DS1220AB

量产

16k非易失SRAM

数据手册 (Rev. 4)

产品选型表

产品模型: 5

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产品详情

在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM
没有写次数限制
低功耗CMOS操作
JEDEC标准的24引脚DIP封装
100ns的读写存取时间
第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
±10% V_CC工作范围(DS1220AD)
可选择±5% V_CC工作范围(DS1220AB)
可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND

参考资料

数据手册 2

DS1220AB-DS1220AD: 16k Nonvolatile SRAM Data Sheet (Rev.4) 10/21/2010

2643: 16k非易失SRAM Data Sheet 01/01/1900

设计笔记 5

Maxim产品中的内嵌锂电池\r\n 07/24/2011

非易失存储器的替代规则 04/27/2011

How to Replace a DS1213 SmartSocket with an Equivalent-Density NV SRAM Module 03/27/2009

Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM 09/11/2008

Timing Considerations When Using NVSRAM 03/20/2006

技术文章 1

NV SRAM Frequently Asked Questions 05/14/2002

ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。

产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
DS1220AB-100IND+	Encapsulated Dual-In-Line Module	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
DS1220AB-150+	Encapsulated Dual-In-Line Module	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
DS1220AB-150IND+	Encapsulated Dual-In-Line Module	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
DS1220AB-200+	Encapsulated Dual-In-Line Module	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
DS1220AB-200IND+	Encapsulated Dual-In-Line Module	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

产品型号	产品生命周期	PCN
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9月 29, 2015 - 1479K ASSEMBLY
		pcn_1479k
DS1220AB-100IND+	量产
DS1220AB-150+	量产
DS1220AB-150IND+	量产
DS1220AB-200+	量产
DS1220AB-200IND+	量产

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