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概览
优势和特点
- 超低噪声（0.1 Hz至10 Hz）
ADR440：1 μV p-p
ADR441：1.2 μV p-p
ADR443：1.4 μV p-p
ADR444：1.8 μV p-p
ADR445：2.25 μV p-p - 输入范围: (VOUT + 500 mV) 至18 V
- 出色的温度系数
A 级: 10 ppm/°C
B 级: 3 ppm/°C
- 低压差工作：500 mV
- 高输出源电流和吸电流，分别为
+10 mA 和 −5 mA - 宽温度范围：−40°C至+125°C
产品详情
ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列XFET®基准电压源具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445电压随温度变化的非线性度降至低点。
XFET基准电压源的噪声性能优于嵌入式齐纳基准电压源，且所需的电源电压裕量较小(500 mV)。这种特性组合使ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列非常适合高端数据采集系统、光学网络和医疗应用中的精密信号转换。
ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列的拉电流输出最高达10 mA，灌电流能力最大为-5 mA。它还具有调整引脚，可以在0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。
ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列采用8引脚MSOP和窄体SOIC封装，提供两种电气等级。这些型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。
应用
- 精密数据采集系统
- 高分辨率数据转换器
- 电池供电仪器仪表
- 便携式医疗仪器
- 工业过程控制系统
- 精密仪器
- 光学控制电路
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
参考资料
设计资源
ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。
| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| ADR443ARMZ | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead MSOP | |
| ADR443ARMZ-REEL7 | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead MSOP | |
| ADR443ARZ | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
| ADR443ARZ-REEL7 | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
| ADR443BRZ | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
| ADR443BRZ-REEL7 | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
| Wafer Fabrication Data |
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