概览
优势和特点
- 低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）： 3.5 µV p-p（2.5 V输出）
- 无需外部电容
- 低温度系数
A级： 10 ppm/℃（最大值）
B级： 3 ppm/℃（最大值） - 负载调整率： 15 ppm/mA
- 线性调整率： 20 ppm/V
- 宽工作电压范围：
ADR430： 4.1 V至18 V
ADR431： 4.5 V至18 V
ADR433： 5.0 V至18 V
ADR434： 6.1 V至18 V
ADR435： 7.0 V至18 V - 高输出源电流和吸电流： +30 mA和-20 mA
- 宽工作温度范围： -40 ℃至+125 ℃
产品详情
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET®系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)和更小的电源电压裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基准电压源是适合5 V系统的低噪声解决方案。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源电流输出最高达30 mA，最大吸电流能力为-20 mA。它还具有调整引脚，可以在±0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引脚MSOP和8引脚窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。
应用
提示：
技术文章： 高性能心电图(ECG)信号调理
技术文章： 高性能心电图(ECG)信号调理
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
参考资料
设计资源
ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。
| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| ADR433ARMZ | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead MSOP | |
| ADR433ARMZ-REEL7 | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead MSOP | |
| ADR433ARZ | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
| ADR433ARZ-REEL7 | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
| ADR433BRZ | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
| ADR433BRZ-REEL7 | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
| Wafer Fabrication Data |
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