ADR430
量产超低噪声、2.048V XFET®基准电压源，具有吸电流和源电流能力
- 产品模型
- 6
概述
- 低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）： 3.5 μV p-p（2.5 V输出）
- 无需外部电容
- 低温度系数
A级： 10 ppm/℃（最大值）
B级： 3 ppm/℃（最大值） - 负载调整率： 15 ppm/mA
- 线性调整率： 20 ppm/V
- 宽工作电压范围
ADR430： 4.1 V至18 V
ADR431： 4.5 V至18 V
ADR433： 5.0 V至18 V
ADR434： 6.1 V至18 V
ADR435： 7.0 V至18 V - 高输出源电流和吸电流： +30 mA和-20 mA
- 宽工作温度范围： -40 ℃至+125 ℃
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET®系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。
与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)和更小的电源电压裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基准电压源是一个适合5 V系统的低噪声解决方案。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源电流输出最高达30 mA，最大吸电流能力为-20 mA。它还具有调整引脚，可以在±0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引脚MSOP和8引脚窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。
应用参考资料
数据手册 1
应用笔记 4
技术文章 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| ADR430ARMZ | 8-Lead MSOP | ||
| ADR430ARMZ-REEL7 | 8-Lead MSOP | ||
| ADR430ARZ | 8-Lead SOIC | ||
| ADR430ARZ-REEL7 | 8-Lead SOIC | ||
| ADR430BRZ | 8-Lead SOIC | ||
| ADR430BRZ-REEL7 | 8-Lead SOIC |
| 产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
|---|---|---|
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10月 26, 2015 - 15_0176 Assembly Transfer of Select 8/10L MSOP Products to Amkor Philippines |
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| ADR430ARMZ | 量产 | |
| ADR430ARMZ-REEL7 | 量产 | |
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5月 15, 2012 - 10_0006 Halogen Free Material Change for mini SOIC Products |
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| ADR430ARMZ | 量产 | |
| ADR430ARMZ-REEL7 | 量产 | |
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11月 23, 2010 - 10_0004 Halogen Free Material Change for SOIC Narrow Body Products Assembled at Amkor |
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| ADR430ARZ | 量产 | |
| ADR430ARZ-REEL7 | 量产 | |
| ADR430BRZ | 量产 | |
| ADR430BRZ-REEL7 | 量产 | |
这是最新版本的数据手册
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