DS3070W
3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM，带有时钟
业内首款、也是唯一的单芯片、可回流焊接的NV SRAM模块
Viewing:
概述
- 单片、可回流焊、27mm x 27mm BGA封装
- 集成实时时钟
- 内置锂锰电池和充电器
- VCC超出容限后无条件对SRAM实施写保护
- VCC失效后自动切换至电池供电
- 内部电源检测器监测电源是否低于VCC额定值(3.3V)
- 复位输出可用作微处理器(CPU)监控
- 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
DS3070W由一个静态RAM、一个非易失(NV)控制器、一个2000年兼容的实时时钟(RTC)和一个内部可充电锂锰(ML)电池组成。这些组件封装在一个表面安装的256焊球BGA模块中。VCC加电时，模块对ML电池充电，同时使用外部电源为时钟和SRAM供电，并允许修改时钟寄存器和SRAM的内容。当VCC掉电或超出容限时，控制器即对存储器内容实施写保护，并改由电池为时钟和SRAM供电。DS3070W还含有一个电源监视器输出(/RST)和一个用户可编程的中断输出(/IRQ/FT)。
应用
- 数据采集系统
- 烟雾报警器
- 游戏机
- 工业控制器
- PLC
- POS终端
- RAID系统和服务器
- 路由器/交换机
参考资料
这是最新版本的数据手册
最新评论
需要发起讨论吗？ 没有关于 DS3070W的相关讨论？是否需要发起讨论？
在EngineerZone®上发起讨论