DS3065W

3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM，带有时钟

数据手册 (Rev. 2)
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概述

  • 单片、可回流焊、27mm x 27mm BGA封装
  • 内置锂锰电池和充电器
  • 集成实时时钟
  • VCC超出容限后无条件写保护时钟和SRAM
  • VCC失效后自动切换至电池供电
  • 复位输出可用作CPU监控
  • 中断输出可用作CPU看门狗定时器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)

    • DS3065W由一个静态RAM、一个非易失(NV)控制器、一个2000年兼容的实时时钟(RTC)和一个内部可充电锂锰(ML)电池组成。这些组件封装在一个表面安装的256焊球BGA模块中。VCC加在模块上时，它对ML电池进行充电，同时为时钟和SRAM供电，并允许修改时钟寄存器和SRAM内容。一旦VCC掉电或超出容限，控制器对存储器内容加以写保护，改由电池为时钟和SRAM供电。DS3050W还含有一个电源监视器输出(/RST)和一个用户可编程的中断输出(/IRQ/FT)。

    应用

    • 数据采集系统
    • 烟雾报警器
    • 游戏机
    • 工业控制器
    • PLC
    • POS终端
    • RAID系统和服务器
    • 路由器/交换机
    DS3065W
    3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM，带有时钟
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    硬件生态系统

    部分模型 产品周期 描述
    存储器和数据记录器 1
    DS3050W
    		3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM，带有时钟
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