DS2050W

3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM

数据手册 (Rev. 2)
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概述

  • 单片、可回流焊接的27mm x 27mm BGA封装
  • 内置ML电池与充电器
  • VCC超出容许范围时无条件写保护SRAM
  • 出现VCC电源故障时，自动切换到电池供电
  • 内置电源监视器，用来检测低于VCC标称值(3.3V)的电源故障
  • 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)

DS2050W是4Mb可回流焊的非易失(NV) SRAM，由静态RAM (SRAM)、NV控制器、内部可充电锰锂(ML)电池组成。这些元件可以封装在256焊球、BGA表贴模块中。只要VCC作用到模块上，就对ML电池充电，利用外部电源为SRAM供电，并允许修改SRAM的内容。VCC断电或超出容许范围时，控制器对SRAM的内容写保护，并用电池为SRAM供电。DS2050W还包含电源监视输出/RST，可以用作微处理器的CPU监控。

应用

  • 数据采集系统
  • 烟雾报警器
  • 游戏机PLC
  • 工业控制器
  • POS终端
  • RAID系统和服务器
  • 路由器/交换机
DS2050W
3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM
DS2050W：典型工作电路
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存储器和数据记录器 1
DS2065W
3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM
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