DS2030AB
单芯片、256k位非易失SRAM
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概述
- 单片，可回流焊，27mm x 27mm BGA封装
- 内部ML电池和充电器
- VCC超出容限后，对SRAM无条件写保护
- VCC电源失效后，自动切换到电池供电
- 内部电源监控，检测电源是否低于标称VCC (5V)的5%或10%
- 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
- 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
DS2030是256kb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM，由一个静态RAM (SRAM)，一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块中，采用256焊球BGA封装。模块VCC上电后，ML电池开始充电，SRAM由外部电源供电，SRAM内容可修改。VCC断电或超出容限时，控制器对SRAM的内容进行写保护，并由电池对SRAM供电。DS2030有两种版本，分别提供5%和10%的电源监控跳变点。DS2030还具有一个电源监控输出，/RST指示，可用作微处理器的CPU监视器。
应用
- 数据采集系统
- 烟雾报警器
- 游戏机
- 工业控制器
- PLC
- POS终端
- RAID系统和服务器
- 路由器/交换机
参考资料
这是最新版本的数据手册
硬件生态系统
| 部分模型 | 产品周期 | 描述 |
|---|---|---|
| 存储器和数据记录器 1 | ||
| DS2030W | 3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM | |
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