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MAX3940

集積化バイアスネットワーク付き、10Gbps EAMドライバ

変調およびバイアス機能内蔵、10.7Gbps電界吸収変調器(EAM)ドライバ

利用上の注意

本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」(リビジョン0)で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」(Rev.J)と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。

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製品情報

  • 内蔵バイアスネットワーク
  • エッジ速度:23ps
  • 最大プログラマブル変調電圧:3VP-P
  • 最大プログラマブルEAMバイアス電圧:1.25V
  • 選択可能なデータリタイミングラッチ
  • 最高10.7Gbps動作
  • 変調およびバイアス機能内蔵
  • 内蔵50Ω入出力終端
  • パルス幅調整
  • イネーブルおよび極性制御
  • ESD保護

MAX3940は、最高10.7Gbpsのデータレートで電界吸収型変調器(EAM)を駆動するよう設計されています。このデバイスは、DC電圧によって外部からプログラムされる制御オペアンプ、およびバイアス回路と変調回路機能を内蔵しています。

内蔵バイアス回路は、最大50mAのプログラマブルバイアス電流を供給します。このバイアス電流によって、外部の50Ω負荷に最大1.25Vのバイアス電圧が発生します。バイアス回路と変調回路は、チップ内部で接続されているため外付けバイアスインダクタが不要です。

広帯域幅の完全差動信号経路が内部で構成されており、ジッタの蓄積を最小化します。クロック信号が利用可能な場合は、内蔵データリタイミング機能で入力信号ジッタ除去を選択することができます。

MAX3940は、内蔵の50Ωライン終端で差動CML信号(グランド基準)を受け入れます。出力は、バック終端用の50Ω抵抗器を備えており、23ps (標準20%~80%)のエッジ速度で40mAP-P~120mAP-Pの変調電流を供給することができます。この変調電流によって、1.0VP-P~3.0VP-PのEAM変調電圧が発生します。

MAX3940は、非対称EAM特性を前補正する可変パルス幅制御回路も内蔵しています。

アプリケーション

  • 10Gbpsイーサネット
  • DWDMシステム
  • 長/短距離光トランスミッタ
  • SONET/OC-192およびSDH/STM-64伝送システム

MAX3940
集積化バイアスネットワーク付き、10Gbps EAMドライバ
MAX3940:標準アプリケーション回路
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