MAT03S

製造中止

マッチング・トランジスタ、航空宇宙、低ノイズ、デュアル、PNP

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製品情報

マッチングしたデュアル PNP トランジスタ
低オフセット電圧: 100 µV（最大値）
低ノイズ: 1 nV/√Hz（最大値）@ 1 kHz
高ゲイン: 100（最小値）
高ゲイン帯域幅: 190 MHz（代表値）
厳密なゲイン・マッチング: 3 %（最大値）
優れた対数適合度:
r_BE = 約 0.3Ω（代表値）

MAT03S デュアル・モノリシック PNP トランジスタは、優れたパラメータ・マッチングと高周波性能を実現します。低ノイズ特性（最大 1 nV/√Hz、@ 1 kHz）、高帯域幅（代表値 190 MHz）、および低オフセット電圧（最大 100 µV）を実現する MAT03S は、要求の厳しいプリアンプ・アプリケーションに最適です。広範囲のコレクタ電流にわたって厳密な電流ゲイン・マッチング（最大 3 % のミスマッチ）、高電流ゲイン（最小 100）を実現するため、MAT03S は電流ミラーに最適です。また、バルク抵抗（代表値 0.3Ω）が低い値であるため、MAT03S は正確な対数適合度を要求されるアプリケーションに最適なデバイスです。

各トランジスタはそれぞれ、データシートの仕様を満たしていることをテストで確認しています。デバイスの性能は、拡張ミリタリ温度範囲で確保されています。マッチング・パラメータの長期安定性を確保するために、ベース・エミッタ接合間の内部保護ダイオードが、任意の逆ベース・エミッタ接合電位をクランプします。これによって、ベース・エミッタのブレークダウン状態を防止できます。ブレークダウン状態になると、過剰なブレークダウン電流によってゲインおよびマッチング性能が劣化する可能性があります。