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MAT03: Low Noise, Matched Dual PNP Transistor Data Sheet (Rev. C)10/30/1988PDF575 kB
製品概要
機能と利点
- マッチングされたデュアルPNPトランジスタ
- 低オフセット電圧:100μV(max)
- 低ノイズ:1nV/√Hz@1kHz(max)
- 高ゲイン:100(min)
- 高いゲイン帯域幅:190MHz(typ)
- 優れたゲイン・マッチング:3%(max)
製品概要
MAT03デュアル・モノリシックPNPトランジスタは、優れたパラメータ・マッチングと高周波性能を提供します。ローノイズ特性(1kHz時で1nV/√Hz max)、高帯域幅(190 MHz typ)、低オフセット電圧(100μV max)の実現により、MAT03は要求の厳しいプリアンプ・アプリケーションに最適です。また、広範なコレクタ電流範囲で厳密な電流ゲイン・マッチング(ミスマッチ:3% max)と高電流ゲイン(100 min)を提供するため、電流ミラーにも最適です。低バルク抵抗(0.3Ω typ)も備えているため、MAT03は正確な対数適合度を要求されるアプリケーションに最適なデバイスです。
各トランジスタはそれぞれ、データシートの仕様を満たしていることをテストで確認しています。性能は、拡張工業温度範囲、軍用温度範囲および25℃で保証しています。マッチング・パラメータの長期安定性を保証するために、ベース・エミッタ接合間の内部保護ダイオードが、任意の逆ベース・エミッタ接合電位をクランプします。これによって、ベース・エミッタのブレークダウン状態を防止できます。ブレークダウン状態になると、過剰なブレークダウン電流によってゲインおよびマッチング性能が劣化する可能性があります。製品カテゴリ
製品ライフサイクル
最終販売
このファミリーの全製品について製造中止が予定されています。製品の最終購入をご検討の場合は、弊社営業担当、あるいは販売代理店にお問い合わせください。また、「製造中止情報」 をご覧いただき、最終受注期限および最終引き受け納期をご確認ください。
参考資料
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AN-139: A Low Voltage Power Supply Watch-Dog Monitor Circuit3/8/2008PDF105 kB
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AN-349: Keys to Longer Life for CMOS10/15/2002PDF89 kB
ツールおよびシミュレーション
SPICE Models
CIR
MAT03 SPICE Macro Model
1.24 K