MAT03

製造中止

マッチングトランジスタ、ローノイズ、デュアル、PNP

利用上の注意

本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」(リビジョン0)で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」(Rev.J)と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。

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製品情報

  • マッチングされたデュアルPNPトランジスタ
  • 低オフセット電圧:100μV(max)
  • 低ノイズ:1nV/√Hz@1kHz(max)
  • 高ゲイン:100(min)
  • 高いゲイン帯域幅:190MHz(typ)
  • 優れたゲイン・マッチング:3%(max)

MAT03デュアル・モノリシックPNPトランジスタは、優れたパラメータ・マッチングと高周波性能を提供します。ローノイズ特性(1kHz時で1nV/√Hz max)、高帯域幅(190 MHz typ)、低オフセット電圧(100μV max)の実現により、MAT03は要求の厳しいプリアンプ・アプリケーションに最適です。また、広範なコレクタ電流範囲で厳密な電流ゲイン・マッチング(ミスマッチ:3% max)と高電流ゲイン(100 min)を提供するため、電流ミラーにも最適です。低バルク抵抗(0.3Ω typ)も備えているため、MAT03は正確な対数適合度を要求されるアプリケーションに最適なデバイスです。 

各トランジスタはそれぞれ、データシートの仕様を満たしていることをテストで確認しています。性能は、拡張工業温度範囲、軍用温度範囲および25℃で保証しています。マッチング・パラメータの長期安定性を保証するために、ベース・エミッタ接合間の内部保護ダイオードが、任意の逆ベース・エミッタ接合電位をクランプします。これによって、ベース・エミッタのブレークダウン状態を防止できます。ブレークダウン状態になると、過剰なブレークダウン電流によってゲインおよびマッチング性能が劣化する可能性があります。

MAT03
マッチングトランジスタ、ローノイズ、デュアル、PNP
MAT03-pcl
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