LT8418

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スマート・ブートストラップ・スイッチ内蔵の100VハーフブリッジGaNドライバ

製品モデル
1
1Ku当たりの価格
最低価格:$1.68
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製品の詳細

  • GaN FET用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ 
  • 上側ゲート・ドライバでのプルアップ抵抗:0.6Ω 
  • 下側ゲート・ドライバでのプルダウン抵抗:0.2Ω 
  • 電流能力:4A(ピーク・ソース)、8A(ピーク・シンク) 
  • 内蔵スマート・ブートストラップ・スイッチ
  • スプリットゲートドライバでターンオン/ターンオフ強度を調整
  • すべてのドライバ入出力がデフォルトでロー状態 
  • INTおよびINB入力における最大定格電圧:15V 
  • INT入力とINB入力が独立し、TTLロジックに対応
  • 高速な伝搬遅延:10ns(代表値)
  • 伝搬遅延のマッチング:1.5ns(代表値) 
  • バランスの取れたドライバ供給電圧:VBST ≈ VCC = 3.85V – 5.5V
  • 低電圧/過電圧ロックアウト保護
  • 小型12ボールWLCSPパッケージ
LT8418
スマート・ブートストラップ・スイッチ内蔵の100VハーフブリッジGaNドライバ
LT8418 Typical Application LT8418 Pin Configuration
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ツールおよびシミュレーション

LTspice 2


下記製品はLTspiceで使用することが出来ます。:

  • LT8418
LTspice

LTspice®は、無料で提供される強力で高速な回路シミュレータと回路図入力、波形ビューワに改善を加え、アナログ回路のシミュレーションを容易にするためのモデルを搭載しています。

 


評価用キット

eval board
EVAL-LT8418-AZ

100V Half-Bridge GaN Driver with Smart Integrated Bootstrap Switch

製品詳細

The EVAL-LT8418-AZ evaluation circuit features the LT8418 driving two 100V enhanced Gallium Nitride (eGaN) FETs in a half-bridge configuration. The circuit is optimized as a buck converter, but it can be used as a boost converter or other converter topologies consisting of a half-bridge. The evaluation circuit can deliver up to 10A with good thermal management.

An external single or two PWM signals are required to drive the board, depending on the configuration. In the single-input setup, the dead time circuitry on the board is utilized to generate the complement signal and set the dead time. The dead time circuitry is bypassed in the dual-input setup.

The LT8418 driver has powerful 0.2Ω pull-down and 0.6Ω pull-up drivers driving two 100V GaN FETs. It also integrates a smart integrated bootstrap switch to generate a balanced bootstrap voltage from VCC with a minimum dropout voltage. The LT8418 provides split gate drivers to adjust the turn-on and turn-off slew rates of GaN FETs to suppress ringing and optimize EMI performance.

Design files for this circuit board are available.

eval board
EVAL-LT8418-BZ

スマート・ブートストラップ・スイッチ内蔵の100VハーフブリッジGaNドライバ

製品詳細

EVAL-LT8418-BZ評価用回路は、2つの100V eGaN(enhanced Gallium Nitride)FETをハーフブリッジ構成で駆動するLT8418を備えています。この回路は降圧コンバータとして最適化されていますが、昇圧コンバータなど、ハーフブリッジで構成されるコンバータ・トポロジとしても使用できます。この評価用回路は、適切な温度管理により最大10Aを供給できます。

ボードを駆動するには、構成に応じて1つまたは2つの外部PWM信号が必要です。単一入力セットアップでは、ボード上のデッド・タイム回路を利用して補完信号を生成し、デッド・タイムを設定します。デッド・タイム回路はデュアル入力セットアップではバイパスされます。LT8418ドライバには、2つの100V GaN FETを駆動する強力な0.2Ωプルダウン・ドライバと0.6Ωプルアップ・ドライバがあります。また、最小ドロップアウト電圧でVCCからバランスの取れたブートストラップ電圧を生成する内蔵スマート・ブートストラップ・スイッチが組み込まれています。LT8418はスプリット・ゲート・ドライバを搭載しており、GaN FETのターンオンとターンオフのスルー・レートを調整することでリンギングを抑制し、EMI性能を最適化します。

EVAL-LT8418-AZ
100V Half-Bridge GaN Driver with Smart Integrated Bootstrap Switch
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EVAL-LT8418-BZ
スマート・ブートストラップ・スイッチ内蔵の100VハーフブリッジGaNドライバ
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