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特長
- Conversion gain: 15 dB typical
- Sideband rejection: 22 dBc typical
- Input power for 1 dB compression (P1dB): 5 dBm typical
- Output third-order intercept (OIP3): 30 dBm typical
- LO leakage at the RF output: −10 dBm typical
- LO leakage at the IF input: −40 dBm typical
- RF return loss: 15 dB typical
- LO return loss: 10 dB typical
- 32-lead 5 x 5 mm LFCSP package
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The HMC9059 is a compact gallium arsenide (GaAs), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), monolithic microwave integrated circuit (MMIC) upconverter in a RoHS compliant, low stress injection molded plastic LFCSP package that operates from 9.5 GHz to 13.5 GHz. This device provides a small signal conversion gain of 15 dB with 22 dBc of sideband rejection. The HMC9059 uses a radio frequency (RF) amplifier preceded by an in-phase/quadrature (I/Q) mixer, where the local oscillator (LO) is driven by a driver amplifier. IF1 and IF2 mixer inputs are provided, and an external 90° hybrid is needed to select the required sideband. The I/Q mixer topology reduces the need for filtering of the unwanted sideband. The HMC9059 is a much smaller alternative to hybrid style single-sideband (SSB) upconverter assemblies, and it eliminates the need for wire bonding by allowing the use of surface-mount manufacturing techniques.
Applications
- Point to point and point to multipoint radios
- Military radars, electronic warfare (EW) and electronic intelligence (ELINT)
- Satellite communications
- Sensors
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よく聞かれる質問（FAQ）
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HMC9059
資料
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製造中止品のデータシート
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ドキュメント
ソフトウェアおよび製品のエコシステム
評価用キット 1
EVAL-HMC9059
HMC9059 Evaluation Board
製品の詳細
This page contains ordering information for evaluating the HMC9059.
The design files link includes the BOM, schematics, and Gerber files for the evaluation board.
資料
