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よく聞かれる質問(FAQ)
特長
- 2 GHz to 6 GHz frequency range
- 85 dB typical small signal gain
- 57 dBm typical saturated output power
- 61 dB gain control range with 1 dB LSB
- Standard 5U 19-inch rack chassis (per EIA-310D)
- 10°C to 50°C operating temperature
- Status and control interface 5 V TTL compatible
- 8-bit SPI attenuator control
- User replaceable air filter on front panel
- Overtemperature and overvoltage standing wave ratio protection
- Alarm status communicated via front panel LED and control connector
- Air cooled by front to rear airflow (2 rear mounted fans)
- Active RF hermetically sealed circuitry
- Control printed wiring assemblies conformal coated for environmental protection
- Meets Grade A, high impact shock per MIL-S-901D
- Meets MIL-STD-167-1A vibration
The HMC8113 is a 500 W, gallium nitride (GaN), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), power amplifier (PA) module that operates between 2 GHz and 6 GHz, provided in an EIA-310D standard 5U 19-inch rack mount chassis. The amplifier typically provides 85 dB of small signal gain and 57 dBm of saturated radio frequency (RF) output power. The amplifier draws 3390 W of power from a 220 VAC supply. The RF inputs and outputs are dc blocked and matched to 50 Ω for ease of use.
APPLICATIONS
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利用上の注意
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ドキュメント
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC8113 | MODULE CONNECTORIZED |
|
- HMC8113
- ピン/パッケージ図
- MODULE CONNECTORIZED
- 資料
- HTML Material Declaration
- HTML Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
- Ultra Librarian
- SamacSys
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製品モデル
製品ライフサイクル
PCN
3 19, 2023
- 23_0033
Discontinuing HMC8113 and HMC8114 products
HMC8113
最終販売
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- 23_0033
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