製品概要
機能と利点
- 2 GHz to 6 GHz frequency range
- 85 dB typical small signal gain
- 57 dBm typical saturated output power
- 61 dB gain control range with 1 dB LSB
- Standard 5U 19-inch rack chassis (per EIA-310D)
- 10°C to 50°C operating temperature
- Status and control interface 5 V TTL compatible
- 8-bit SPI attenuator control
- User replaceable air filter on front panel
- Overtemperature and overvoltage standing wave ratio protection
- Alarm status communicated via front panel LED and control connector
- Air cooled by front to rear airflow (2 rear mounted fans)
- Active RF hermetically sealed circuitry
- Control printed wiring assemblies conformal coated for environmental protection
- Meets Grade A, high impact shock per MIL-S-901D
- Meets MIL-STD-167-1A vibration
製品概要
The HMC8113 is a 500 W, gallium nitride (GaN), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), power amplifier (PA) module that operates between 2 GHz and 6 GHz, provided in an EIA-310D standard 5U 19-inch rack mount chassis. The amplifier typically provides 85 dB of small signal gain and 57 dBm of saturated radio frequency (RF) output power. The amplifier draws 3390 W of power from a 220 VAC supply. The RF inputs and outputs are dc blocked and matched to 50 Ω for ease of use.
APPLICATIONS
製品ライフサイクル
新規設計には非推奨
新規設計にはお勧めしていません。
参考資料
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。
| 製品番号 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | ピン/パッケージ図 | CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル |
|---|---|---|---|---|
| HMC8113 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | MODULE CONNECTORIZED | |
| ウェハ・ファブリケーション・データ |
PCN-PDN情報
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サポート ＆ ディスカッション
HMC8113 Discussions
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