製品概要

機能と利点

  • 減衰範囲: 0.5 dB LSB ステップで 31.5 dB まで
  • 低挿入損失
    • 1.0 GHz まで 1.1 dB
    • 2.0 GHz まで 1.5 dB
  • 厳密な減衰精度
  • ±0.25 dB 未満(および減衰状態 3 %)
  • 低位相シフト誤差: 1.0 GHz まで 4° 位相シフト
  • 双方向用途: 30 dBm 高電力処理​
  • RFIN/RFOUT ピンで内部 DC ブロック
  • 高直線性
    • P1dB: 31 dBm(代表値)
    • 入力 IP3: 52 dBm(代表値)
    • 安全状態遷移
  • TTL/CMOS 対応シリアル・インターフェース
    • 1 データ・バス上に最大 8 台のデバイス
  • 単電源動作: 3.3 V ~ 5.0 V
  • ESD 耐性定格: クラス 1C(1 kV の人体モデル)
  • 16 ピン 3 mm × 3 mm LFCSP パッケージ: 9 mm2

製品概要

HMC8073 は、0.6 GHz ~ 3.0 GHz で動作する 6 ビット・デジタル・ステップ・アッテネータ(DSA)で、減衰範囲は 0.5 dB ステップで 31.5 dB です。

HMC8073 はシリコン・プロセスで製造されており、短いセトリング・タイム、低消費電力、高静電気放電(ESD)耐性を提供します。このデバイスは安全状態遷移を特長にしており、オーバーシュートなしで減衰状態を変更することができ、優れたステップ精度、および周波数範囲と温度範囲全体での高い出力と高い直線性が得られるように最適化されています。無線周波数(RF)入出力は内部で 50 Ω に整合しており、外付けマッチング部品が不要です。双方向の設計になっているため、RF 入出力は入れ替え可能です。

HMC8073 の外部アドレス機能により、1 つのバスを使用して最大 8 つの DSA を制御することができます。DSA はレギュレータを内蔵しており、電気的特性の性能を変化させることなく 3.3 V ~ 5.0 V の広い電源動作範囲に対応します。HMC8073 には、アッテネータのシリアル(3 線)制御をサポートする相補型金属酸化膜半導体(CMOS)およびトランジスタ - トランジスタ・ロジック(TTL)互換インターフェースが組み込まれています。

HMC8073 は、RoHS 準拠の小型 3 mm × 3 mm LFCSP パッケージを採用しています。

アプリケーション

  • セルラ・インフラストラクチャ
  • マイクロ波無線 
  • 超小型地球局
  • 試験装置およびセンサー

製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。

評価キット (1)

ツール

IBIS Models

S-Parameters

設計ツール

ADIsimRF

アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。

設計リソース

アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。

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モデル一覧の項目説明

 

 

 

評価用ボード

表示されている価格は、1個あたりの価格です。

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