HMC8073
HMC8073
新規設計に推奨0.6 GHz ～ 3.0 GHz、0.5 dB LSB、6 ビット・シリコン・デジタル・ステップ・アッテネータ
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
Viewing:
製品の詳細
- 減衰範囲: 0.5 dB LSB ステップで 31.5 dB まで
- 低挿入損失
- 1.0 GHz まで 1.1 dB
- 2.0 GHz まで 1.5 dB
- 厳密な減衰精度
- ±0.25 dB 未満（および減衰状態 3 %）
- 低位相シフト誤差: 1.0 GHz まで 4° 位相シフト
- 双方向用途: 30 dBm 高電力処理
- RFIN/RFOUT ピンで内部 DC ブロック
- 高直線性
- P1dB: 31 dBm（代表値）
- 入力 IP3: 52 dBm（代表値）
- 安全状態遷移
- TTL/CMOS 対応シリアル・インターフェース
- 1 データ・バス上に最大 8 台のデバイス
- 単電源動作: 3.3 V ～ 5.0 V
- ESD 耐性定格: クラス 1C（1 kV の人体モデル）
- 16 ピン 3 mm × 3 mm LFCSP パッケージ: 9 mm2
HMC8073 は、0.6 GHz ～ 3.0 GHz で動作する 6 ビット・デジタル・ステップ・アッテネータ（DSA）で、減衰範囲は 0.5 dB ステップで 31.5 dB です。
HMC8073 はシリコン・プロセスで製造されており、短いセトリング・タイム、低消費電力、高静電気放電（ESD）耐性を提供します。このデバイスは安全状態遷移を特長にしており、オーバーシュートなしで減衰状態を変更することができ、優れたステップ精度、および周波数範囲と温度範囲全体での高い出力と高い直線性が得られるように最適化されています。無線周波数（RF）入出力は内部で 50 Ω に整合しており、外付けマッチング部品が不要です。双方向の設計になっているため、RF 入出力は入れ替え可能です。
HMC8073 の外部アドレス機能により、1 つのバスを使用して最大 8 つの DSA を制御することができます。DSA はレギュレータを内蔵しており、電気的特性の性能を変化させることなく 3.3 V ～ 5.0 V の広い電源動作範囲に対応します。HMC8073 には、アッテネータのシリアル（3 線）制御をサポートする相補型金属酸化膜半導体（CMOS）およびトランジスタ - トランジスタ・ロジック（TTL）互換インターフェースが組み込まれています。
HMC8073 は、RoHS 準拠の小型 3 mm × 3 mm LFCSP パッケージを採用しています。
アプリケーション
- セルラ・インフラストラクチャ
- マイクロ波無線
- 超小型地球局
- 試験装置およびセンサー
ドキュメント
データシート 1
製品選択ガイド 1
| 製品モデル | ピン／パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| HMC8073LP3DE | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm w/ EP) | ||
| HMC8073LP3DETR | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm w/ EP) |
| 製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
|---|---|---|
| 該当なし | ||
|
4 19, 2022 - 22_0048 Addition of ASE Korea as an Alternate Assembly Site for Select LFCSP Products |
||
| HMC8073LP3DE | 製造中 | |
| HMC8073LP3DETR | 製造中 | |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
ADIsimRF
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
ツールを開くSパラメータ 1
IBISモデル 1
評価用キット
HMC8073 評価用ボード