HMC6505A

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HMC6505A

5.5 GHz ～ 8.6 GHz、GaAs、MMIC、I/Q アップコンバータ

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製品モデル 3

1Ku当たりの価格

価格は未定

特長

変換ゲイン: 15 dB（代表値）
サイドバンド除去比: 22 dBc（代表値）
最大ゲインでの出力 P1dB 圧縮ポイント: 22 dBm（代表値）
最大ゲインでの出力 IP3: 35 dBm（代表値）
LO/RF アイソレーション: 4 dB（代表値）
LO/IF アイソレーション: 9 dB（代表値）
RF リターン・ロス: 20 dB（代表値）
LO リターン・ロス: 10 dB（代表値）
IF リターン・ロス: 20 dB（代表値）
エクスポーズド・パッド、5 mm × 5 mm、32 端子、リードレス・チップ・キャリア・パッケージ

製品概要

HMC6505A は、RoHS 準拠の小型パッケージに収められた、ガリウム・ヒ素（GaAs）、擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ（pHEMT）、モノリシック・マイクロ波集積回路（MMIC）のアップコンバータで、5.5 GHz ～ 8.6 GHz で動作します。このデバイスは 15 dB の小信号変換ゲインを与え、サイドバンド除去比は 22 dBc です。HMC6505A は可変ゲイン・アンプ（VGA）を使用し、その前に同相／直交（I/Q）ミキサーが置かれています。このミキサーはアクティブ局部発振器（LO）によって駆動されます。IF1 と IF2 のミキサー入力を備えており、必要な側波帯を選択するのに外部 90° ハイブリッドが必要です。この I/Q ミキサー・トポロジーにより、不要な側波帯のフィルタリングの必要性が減少します。HMC6505A は、ハイブリッド型単側波帯（SSB）アップコンバータ・アセンブリより小さい代替デバイスです。また、表面実装製造技術を使用できるので、ワイヤ・ボンディングが不要です。

HMC6505A は 5 mm × 5 mm の 32 端子リードレス・チップ・キャリア（LCC）パッケージで提供され、−40 ºC ～ +85 ºC の温度範囲で動作します。HMC6505A 用の評価用ボードも要望に応じて提供されます。

アプリケーション

ポイント to ポイントおよびポイント to マルチポイント無線
防衛用レーダー、電子戦（EW）および電子諜報（ELINT）
衛星通信
各種センサー