製品概要

機能と利点

  • 高ゲイン: 24 dB
  • P1dB 出力電力: 25 dBm(代表値)
  • 15 V 単電源
  • ハーメチック・シール
  • フィールド交換可能 SMA コネクタ
  • 動作温度範囲: -40 ℃ ~ +75 ℃

製品概要

HMC-C582 は、ガリウム・ヒ素(GaAs)モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)擬似格子整合型高電子移動度転送(pHEMT)パワー・アンプで、交換可能な SMA コネクタ付きの小型ハーメチック・モジュールを採用しており、動作範囲は 0.01 GHz ~ 20 GHz です。このアンプは、24 dB のゲイン(代表値)、最大 36 dBm の出力 IP3、1 dB ゲイン圧縮ポイントでの最大 26 dBm の出力電力を提供します。

HMC-C582 は 0.01 GHz ~ 20 GHz のゲイン平坦性が良好なため、電子戦(EW)、電子対抗手段(ECM)、レーダー、光ファイバ、試験装置などのアプリケーションに最適です。広帯域アンプの入出力(I/O)は内部で 50 Ω に整合しており、DC ブロックされています。内蔵の電圧レギュレータにより、信頼性の高い動作のための柔軟なバイアス制御とシーケンス制御を行うことができます。

アプリケーション

  • 通信インフラストラクチャ
  • マイクロ波無線および VSAT
  • 防衛および宇宙
  • 試験および計測
  • 光ファイバ

製品ライフサイクル icon-recommended 最終販売

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