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製品概要

機能と利点

  • 超広帯域周波数範囲:100MHz~40GHz
  • 減衰範囲:0.5dBステップで 31.5dBまで
  • インピーダンス整合性を備えた低挿入損失
    • 18GHzで2.1dB
    • 26GHzで2.9dB
    • 40GHzで4.8dB
  • インピーダンス整合性を備えた減衰精度
    • 18GHzまで±(0.10 + 設定値の1.0 %)dB
    • 26GHzまで±(0.15 + 設定値の0.8 %)dB
    • 40GHzまで±(0.35 + 設定値の2.5 %)dB
  • インピーダンス整合性を備えたステップ誤差(代表値)
    • 18GHzで±0.18dB
    • 26GHzで±0.23dB
    • 40GHzで±0.51dB
  • 高入力直線性
    • 挿入損失状態(P0.1dB):30dBm
    • その他の減衰状態(P0.1 dB):27dBm
    • IP3:50dBm(代表値)
  • 大RF入力電力処理:27dBm平均、30dBmピーク
  • 相対位相の厳密な分配
  • 低周波数スプリアス・シグナルなし
  • SPIおよびパラレル・モード制御、CMOS/LVTTL互換
  • RFセトリング・タイム(0.1dBの最終RF出力):250ns
  • 24端子、4mm×4mmLGAパッケージ
  • 低周波カットオフ・バージョンADRF5720とのピン互換性

製品概要

ADRF5730 は、6 ビット・シリコン・デジタル減衰器で、減衰制御範囲は 0.5 dB ステップで 31.5 dB です。

このデバイスは、4.8 dB の挿入損失と優れた減衰精度より良好な状態で、100 MHz ~ 40 GHzで動作します。ADRF5730 は、すべての状態に対応する、平均 27 dBm およびピーク 30 dBm の無線周波数(RF)入力電力処理機能を備えています。

また ADRF5730 は +3.3 V と −3.3 V の両電源電圧を必要とし、デバイスは、シリアル・ペリフェラル・インターフェース(SPI)、パラレル・モード制御、および相補型金属酸化膜半導体(CMOS)/低電圧トランジスタtoトランジスタ・ロジック(LVTTL)の互換制御を特長としています。

さらに ADRF5730 は、9 kHz ~ 40 GHz で動作する ADRF5720 低周波カットオフ・バージョンとのピン互換性を備えています。

ADRF5730 RF ポートは、50 Ω の特性インピーダンスにマッチするように設計されています。広帯域幅アプリケーションの場合、RF 伝送ラインでのインピーダンス・マッチングは、高周波挿入損失とリターン・ロス、および減衰精度の各特性をさらに最適化することができます。詳細については電気仕様、代表的な性能特性、アプリケーション情報の各セクションを参照してください。

ADRF5730 は、24 端子、4 mm × 4 mm、RoHS 準拠、ランド・グリッド・アレイ(LGA)パッケージといった特徴を備え、−40°C ~ +105°C で動作可能です。

アプリケーション

  • 工業用センサー
  • 試験および計測器
  • セルラ・インフラストラクチャ:5G ミリ波
  • 防衛用無線、レーダー、電子対抗手段(ECM)
  • マイクロ波無線および超小型地球局(VSAT)

製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

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評価キット (1)

ツール

IBIS Models

S-Parameters

設計リソース

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サンプル&購入

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モデル一覧の項目説明

 

 

 

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