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製品概要

機能と利点

  • デュアル・チャンネルRFフロント・エンドを内蔵
    • 2段LNAおよび高出力シリコンSPDTスイッチ
    • オンチップのバイアスおよびマッチング
    • 単電源動作
  • TCASE = 105°Cで高出力に対応
    • 平均LTE出力(9dB PAR、寿命全期間):43dBm
  • ゲイン
    • 高ゲイン・モード:2.6GHzで35dB(代表値)
    • 低ゲイン・モード:2.6GHzで14dB(代表値)
  • 低ノイズ指数
    • 高ゲイン・モード:2.6GHzで1.0dB(代表値)
    • 低ゲイン・モード:2.6GHzで1.0dB(代表値)
  • 高アイソレーション
    • RXOUT-CHAとRXOUT-CHB:45dB(代表値)
    • TERM-CHAとTERM-CHB:60dB(代表値)
  • 低挿入損失:2.6GHzで0.5dB(代表値)
  • 高OIP3:32dBm(代表値)
  • パワーダウン・モードおよび低ゲイン・モード
  • 低電源電流
    • 高ゲイン・モード:5Vで110mA(代表値)
    • 低ゲイン・モード:5Vで36mA(代表値)
    • パワーダウン・モード:5Vで12mA(代表値)
  • 正ロジック制御
  • 6mm × 6mm、40ピンLFCSPパッケージ
  • ADRF5545AおよびADRF5549(10Wバージョン)とのピン互換性

製品概要

ADRF5519は、2.3GHz~2.8GHzの時分割複信(TDD)アプリケーション用に設計された、デュアル・チャンネルの統合型RFフロントエンド・マルチチップ・モジュールです。2段カスケード低ノイズ・アンプ(LNA)および高出力シリコン単極双投(SPDT)スイッチを備えたデュアル・チャンネル構成となっています。

高ゲイン・モードでは、2段カスケードLNAおよびスイッチは、低ノイズ指数1.0dB、高ゲイン35dB(2.6GHz時)、出力3次インターセプト・ポイント(OIP3)32dBm(代表値)となります。低ゲイン・モードでは、2段LNAのうち1段はバイパスされ、36mAという低電流で14dBのゲインを実現します。パワーダウン・モードでは、LNAはオフとなり、デバイスは12mAの電流を供給します。

送信動作では、RF入力が終端ピンに接続されます(ANT-CHAまたはANT-CHBをTERM-CHAまたはTERM-CHBにそれぞれ接続)。スイッチは0.5dBという低挿入損失となり、ロングターム・エボリューション(LTE)の平均電力(ピーク対平均値比(PAR)9dB)は、寿命全期間動作で43dBmになります。

デバイスは、RoHS準拠、コンパクトな6mm × 6mm、40ピンLFCSPパッケージでのご提供です。

アプリケーション

  • ワイヤレス・インフラストラクチャ
  • TDD Massive Multiple-Input Multiple-Outputおよびアクティブ・アンテナ・システム
  • TDDベースの通信システム
  • 製品カテゴリ

    マーケット&テクノロジー

    製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

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    評価キット (1)

    ツール

    S-Parameters

    設計リソース

    アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。

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