製品概要

機能と利点

  • デュアル・チャンネルRFフロント・エンドを内蔵
    • 2段LNAおよび高出力シリコンSPDTスイッチ
    • オンチップのバイアスおよびマッチング
    • 単電源動作
  • TCASE = 105°Cで高出力に対応
    • 平均LTE出力(9dB PAR、寿命全期間):43dBm
  • ゲイン
    • 高ゲイン・モード:2.6GHzで35dB(代表値)
    • 低ゲイン・モード:2.6GHzで14dB(代表値)
  • 低ノイズ指数
    • 高ゲイン・モード:2.6GHzで1.0dB(代表値)
    • 低ゲイン・モード:2.6GHzで1.0dB(代表値)
  • 高アイソレーション
    • RXOUT-CHAとRXOUT-CHB:45dB(代表値)
    • TERM-CHAとTERM-CHB:60dB(代表値)
  • 低挿入損失:2.6GHzで0.5dB(代表値)
  • 高OIP3:32dBm(代表値)
  • パワーダウン・モードおよび低ゲイン・モード
  • 低電源電流
    • 高ゲイン・モード:5Vで110mA(代表値)
    • 低ゲイン・モード:5Vで36mA(代表値)
    • パワーダウン・モード:5Vで12mA(代表値)
  • 正ロジック制御
  • 6mm × 6mm、40ピンLFCSPパッケージ
  • ADRF5545AおよびADRF5549(10Wバージョン)とのピン互換性

製品概要

ADRF5519は、2.3GHz~2.8GHzの時分割複信(TDD)アプリケーション用に設計された、デュアル・チャンネルの統合型RFフロントエンド・マルチチップ・モジュールです。2段カスケード低ノイズ・アンプ(LNA)および高出力シリコン単極双投(SPDT)スイッチを備えたデュアル・チャンネル構成となっています。

高ゲイン・モードでは、2段カスケードLNAおよびスイッチは、低ノイズ指数1.0dB、高ゲイン35dB(2.6GHz時)、出力3次インターセプト・ポイント(OIP3)32dBm(代表値)となります。低ゲイン・モードでは、2段LNAのうち1段はバイパスされ、36mAという低電流で14dBのゲインを実現します。パワーダウン・モードでは、LNAはオフとなり、デバイスは12mAの電流を供給します。

送信動作では、RF入力が終端ピンに接続されます(ANT-CHAまたはANT-CHBをTERM-CHAまたはTERM-CHBにそれぞれ接続)。スイッチは0.5dBという低挿入損失となり、ロングターム・エボリューション(LTE)の平均電力(ピーク対平均値比(PAR)9dB)は、寿命全期間動作で43dBmになります。

デバイスは、RoHS準拠、コンパクトな6mm × 6mm、40ピンLFCSPパッケージでのご提供です。

アプリケーション

  • ワイヤレス・インフラストラクチャ
  • TDD Massive Multiple-Input Multiple-Outputおよびアクティブ・アンテナ・システム
  • TDDベースの通信システム
  • 製品カテゴリ

    マーケット&テクノロジー

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    モデル一覧の項目説明

     

     

     

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