ADRF5422

新規設計に推奨

キャリア配置ダイ、シリコンSPDTスイッチ、無反射型、100MHz～55GHz

データシート (Rev. 0)
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製品情報

  • 超広帯域周波数範囲：100MHz～55GHz
  • 無反射型設計
  • 低挿入損失
    • 18GHzで1.3dB（代表値）
    • 40GHzで1.9dB（代表値）
    • 50GHzで2.5dB（代表値）
    • 55GHzで3.6dB（代表値）
  • 高アイソレーション
    • 40GHzで43dB（代表値）
    • 55GHzで38dB（代表値）
  • 高入力直線性
    • 0.1dB圧縮ポイント（P0.1dB）：31dBm
    • 3次インターセプト・ポイント（IP3）：53dBm
  • TCASE = 85℃で高出力に対応
    • スルー・パス：30dBm
    • 終端パス：24dBm
    • ホット・スイッチング：30dBm
  • RFのセトリング・タイム（0.1dBの最終RF出力まで）：30ns
  • 低周波数スプリアス・シグナルなし
  • オール・オフ状態コントロール
  • 正電圧制御インターフェース：CMOS/LVTTLに対応
  • 3.021 mm × 2.305 mmの15パッド・ベア・ダイ［CHIP］

ADRF5422は、シリコン・プロセスを使って製造された無反射型SPDTスイッチで、ガリウム砒素（GaAs）キャリア基板上に取り付けられています。基板には、チップおよびワイヤ・アセンブリのためのボンド・パッドが備わっており、デバイスの底面は金属被覆されてグラウンドに接続されています。

このデバイスは、100MHz～55GHzで動作し、挿入損失は3.6dB、アイソレーションは38dBです（それぞれ55GHzにおける代表値）。ADRF5422のRF入力電力処理機能は、スルー・パスが30dBm、終端パスが24dBm、ホット・スイッチングが30dBmです。

ADRF5422は+3.3Vの正電源と-3.3Vの負電源を必要とし、相補型金属酸化膜半導体（CMOS）互換／低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック（LVTTL）互換の制御を使用します。

ADRF5422は、負電源電圧（VSS）をグラウンドに接続し、正単電源電圧（VDD）を印加する場合に動作します。この動作状態では、小信号性能は維持されますが、スイッチング特性、直線性、電力処理性能は低下します。

ADRF5422は、50Ωの特性インピーダンスに一致するように設計されており、-40°C～+105°Cで動作できます。

アプリケーション

  • 試験および計測器
  • セルラ・インフラストラクチャ：5Gミリ波（mmW）
  • 防衛用無線、レーダー、電子戦対抗手段（ECM）
  • マイクロ波無線機、超小型地球局（VSAT）
  • 工業用スキャナ
ADRF5422
キャリア配置ダイ、シリコンSPDTスイッチ、無反射型、100MHz～55GHz
ADRF5422 Functional Block Diagram ADRF5422 Pin Configuration ADRF5422 Chip Illustration
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