ADRF5422
ADRF5422
新規設計に推奨キャリア配置ダイ、シリコンSPDTスイッチ、無反射型、100MHz~55GHz
- 製品モデル
- 3
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
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製品の詳細
- 超広帯域周波数範囲:100MHz~55GHz
- 無反射型設計
- 低挿入損失
- 18GHzで1.3dB(代表値)
- 40GHzで1.9dB(代表値)
- 50GHzで2.5dB(代表値)
- 55GHzで3.6dB(代表値)
- 高アイソレーション
- 40GHzで43dB(代表値)
- 55GHzで38dB(代表値)
- 高入力直線性
- 0.1dB圧縮ポイント(P0.1dB):31dBm
- 3次インターセプト・ポイント(IP3):53dBm
- TCASE = 85℃で高出力に対応
- スルー・パス:30dBm
- 終端パス:24dBm
- ホット・スイッチング:30dBm
- RFのセトリング・タイム(0.1dBの最終RF出力まで):30ns
- 低周波数スプリアス・シグナルなし
- オール・オフ状態コントロール
- 正電圧制御インターフェース:CMOS/LVTTLに対応
- 3.021 mm × 2.305 mmの15パッド・ベア・ダイ[CHIP]
ADRF5422は、シリコン・プロセスを使って製造された無反射型SPDTスイッチで、ガリウム砒素(GaAs)キャリア基板上に取り付けられています。基板には、チップおよびワイヤ・アセンブリのためのボンド・パッドが備わっており、デバイスの底面は金属被覆されてグラウンドに接続されています。
このデバイスは、100MHz~55GHzで動作し、挿入損失は3.6dB、アイソレーションは38dBです(それぞれ55GHzにおける代表値)。ADRF5422のRF入力電力処理機能は、スルー・パスが30dBm、終端パスが24dBm、ホット・スイッチングが30dBmです。
ADRF5422は+3.3Vの正電源と-3.3Vの負電源を必要とし、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)互換/低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック(LVTTL)互換の制御を使用します。
ADRF5422は、負電源電圧(VSS)をグラウンドに接続し、正単電源電圧(VDD)を印加する場合に動作します。この動作状態では、小信号性能は維持されますが、スイッチング特性、直線性、電力処理性能は低下します。
ADRF5422は、50Ωの特性インピーダンスに一致するように設計されており、-40°C~+105°Cで動作できます。
アプリケーション
- 試験および計測器
- セルラ・インフラストラクチャ:5Gミリ波(mmW)
- 防衛用無線、レーダー、電子戦対抗手段(ECM)
- マイクロ波無線機、超小型地球局(VSAT)
- 工業用スキャナ
ドキュメント
データシート 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
ADRF5422BCZ | CHIPS OR DIE | ||
ADRF5422BCZ-GP | CHIPS OR DIE | ||
ADRF5422BCZ-SX | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
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