ADRF5422

新規設計に推奨

キャリア配置ダイ、シリコンSPDTスイッチ、無反射型、100MHz~55GHz

利用上の注意

本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」(リビジョン0)で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」(Rev.J)と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。

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製品の詳細

  • 超広帯域周波数範囲:100MHz~55GHz
  • 無反射型設計
  • 低挿入損失
    • 18GHzで1.3dB(代表値)
    • 40GHzで1.9dB(代表値)
    • 50GHzで2.5dB(代表値)
    • 55GHzで3.6dB(代表値)
  • 高アイソレーション
    • 40GHzで43dB(代表値)
    • 55GHzで38dB(代表値)
  • 高入力直線性
    • 0.1dB圧縮ポイント(P0.1dB):31dBm
    • 3次インターセプト・ポイント(IP3):53dBm
  • TCASE = 85℃で高出力に対応
    • スルー・パス:30dBm
    • 終端パス:24dBm
    • ホット・スイッチング:30dBm
  • RFのセトリング・タイム(0.1dBの最終RF出力まで):30ns
  • 低周波数スプリアス・シグナルなし
  • オール・オフ状態コントロール
  • 正電圧制御インターフェース:CMOS/LVTTLに対応
  • 3.021 mm × 2.305 mmの15パッド・ベア・ダイ[CHIP]
ADRF5422
キャリア配置ダイ、シリコンSPDTスイッチ、無反射型、100MHz~55GHz
ADRF5422 Functional Block Diagram ADRF5422 Pin Configuration ADRF5422 Chip Illustration
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