ADRF5162
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ADRF5162
High Power, 100 W Peak, Silicon SPDT, Reflective Switch, 0.4 GHz to 8 GHz
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製品モデル
2
1Ku当たりの価格
最低価格：$25.93
特長
- Frequency range: 0.4 GHz to 8 GHz
- Low insertion loss: 0.6 dB typical to 4 GHz
- High Isolation: 45 dB typical to 4 GHz
- High input linearity
- 0.1 dB power compression (P0.1dB): 49 dBm
- Third order intercept (IP3): >76 dBm
- High power handling at TCASE = 85°C:
- Insertion loss path
- Average: 45.5 dBm
- Pulsed (>100 ns pulse width, 15% duty cycle): 48.5 dBm
- Peak (≤100 ns peak duration, 5% duty cycle): 50 dBm
- Hot-switching at RFC: 43 dBm
- Insertion loss path
- 0.1 dB RF settling time with PIN ≤ 43 dBm: 1.2 μs
- No low frequency spurious
- Positive control interface: CMOS/LVTTL-compatible
- 24-lead, 4.0 mm × 4.0 mm LFCSP package
製品概要
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The ADRF5162 is a reflective, single pole double-throw (SPDT) switch manufactured in the silicon process.
The ADRF5162 operates from 0.4 GHz to 8 GHz with typical insertion loss of 0.6 dB and typical isolation of 45 dB. The device has a radio frequency (RF) input power handling capability of 45.5 dBm average power and 50 dBm peak power for the insertion loss path.
The ADRF5162 draws a low current of 130 μA on the positive supply of +3.3 V and 500 μA on negative supply of −3.3 V. The device employs complementary metal-oxide semiconductor (CMOS)-/low-voltage transistor to transistor logic (LVTTL)-compatible controls. The ADRF5162 requires no additional driver circuitry, which makes it an ideal alternative to GaN and PIN diode-based switches.
The ADRF5162 comes in a 24-lead, 4.0 mm × 4.0 mm, RoHS-compliant, lead frame chip scale package (LFCSP) package and can operate from −40°C to +105°C.
APPLICATIONS
- Military radios, radars, and electronic counter measures
- Cellular infrastructure
- Test and instrumentation
- GaN and PIN diode replacement
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よく聞かれる質問（FAQ）
製品モデル
2
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最低価格：$25.93
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ADRF5162
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データシート
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1
更新 08/16/2024
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なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.G）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。
ドキュメント
ドキュメント
設計リソース 2
| 製品モデル | ピン／パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| ADRF5162BCPZN |
24-Lead LFCSP (4mm x 4mm x 0.85mm w/ EP)
|
|
|
| ADRF5162BCPZN-R7 |
24-Lead LFCSP (4mm x 4mm x 0.85mm w/ EP)
|
|
- ADRF5162BCPZN
- ピン／パッケージ図
-
24-Lead LFCSP (4mm x 4mm x 0.85mm w/ EP)
- 資料
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- ADRF5162BCPZN-R7
- ピン／パッケージ図
-
24-Lead LFCSP (4mm x 4mm x 0.85mm w/ EP)
- 資料
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
ソフトウェアおよび製品のエコシステム
ソフトウェアおよび製品のエコシステム
評価用キット
評価用キット 1
EVAL-ADRF5162
Evaluating the ADRF5162 High Power, 100 W Peak, Silicon SPDT, Reflective Switch, 0.4 GHz to 8 GHz
Evaluating the ADRF5162 High Power, 100 W Peak, Silicon SPDT, Reflective Switch, 0.4 GHz to 8 GHz
製品の詳細
The ADRF5162 is a single-pole, double-throw (SPDT) switch manufactured in the silicon process.
This user guide describes the ADRF5162-EVALZ evaluation board, designed to simply evaluate the features and performance of the ADRF5162. Figure 1 shows a photograph of the evaluation board.
The ADRF5162 data sheet provides full specifications for the ADRF5162. Refer to the ADRF5162 data sheet with this user guide when using the ADRF5162-EVALZ.
ツールおよびシミュレーション
ツールおよびシミュレーション 1
Sパラメータ 1
Sパラメータ
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