ADRF5142

新規設計に推奨

高出力、40Wピーク、シリコンSPDT、反射型スイッチ、8GHz～11GHz

データシート (Rev. 0)
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製品情報

  • 周波数範囲：8GHz～11GHz
  • 低挿入損失：1.2dB（代表値）
  • 高アイソレーション：40dB（代表値）
    • 高入力直線性
    • 0.1dB電力圧縮ポイント（P0.1dB）：46dBm
    • 3次インターセプト・ポイント（IP3）：70dBm
  • TCASE = 85°Cで高出力に対応：
    • 挿入損失パス
        • 平均：41dBm
        • パルス（>100nsのパルス幅、15%のデューティサイクル）：44dBm
        • ピーク（≤100nsのピーク継続時間、5%のデューティサイクル）：46dBm
    • RFC（ピン3）でのホット・スイッチング：41dBm
  • 高速スイッチング時間：60ns
  • 0.1dB RFセトリング・タイム：65ns
  • 低周波数スプリアスなし
  • 正電圧制御インターフェイス：CMOS/LVTTLに対応
  • 20ピン3.0mm × 3.0mm LGAパッケージ
  • ADRF5141およびADRF5144とピン互換

ADRF5142は、シリコン・プロセスで製造された反射型単極双投（SPDT）スイッチです。

ADRF5142は、1.2dBの挿入損失（代表値）および40dBのアイソレーション（代表値）において、8GHz～11GHzで動作します。このデバイスは、挿入損失パスで平均電力41dBmおよびピーク出力46dBmの無線周波数（RF）入力電力処理機能を備えています。

ADRF5142では、+3.3Vの正側（供給）電源で130μA、−3.3Vの負電源で500μAの低電流が流れます。また、相補型金属酸化膜半導体（CMOS）／低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック（LVTTL）互換の制御が採用されています。ADRF5142は追加のドライバ回路が不要なため、窒化ガリウム（GaN）およびPINダイオードベースのスイッチに代わる最適なソリューションとなります。

ADRF5142は、20ピン、3.0mm × 3.0mmのRoHS準拠ランド・グリッド・アレイ（LGA）パッケージで提供され、−40°C～+85°Cで動作可能です。
ADRF5142
高出力、40Wピーク、シリコンSPDT、反射型スイッチ、8GHz～11GHz
ADRF5142 Functional Block Diagram ADRF5142 Pin Configuration
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ツールおよびシミュレーション

Sパラメータ 1

評価用キット

eval board
schematic 1
schematic 2
schematic 3
EVAL-ADRF5142

ADRF5142（高出力、40Wピーク、シリコンSPDTスイッチ、8GHz～11GHz）の性能評価

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機能と利点

  • ADRF5142用のフル機能評価用ボード
  • 試験装置への容易な接続
  • キャリブレーション用のスルー・ライン

製品詳細

ADRF5142は、シリコン・プロセスで製造された単極双投（SPDT）スイッチです。

このユーザ・ガイドでは、ADRF5142の機能と性能を評価できるように設計されたADRF5142-EVALZ評価用ボードについて説明します。図1に評価用ボードを示します。

ADRF5142の全仕様はデータシートに記載されています。ADRF5142-EVALZを使用する際は、このユーザ・ガイドと併せてADRF5142のデータシートも参照してください。
EVAL-ADRF5142
ADRF5142（高出力、40Wピーク、シリコンSPDTスイッチ、8GHz～11GHz）の性能評価
EVAL-ADRF5142 Board Photo Angle View EVAL-ADRF5142 Board Photo Top View EVAL-ADRF5142 Board Photo Bottom View

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