ADRF5054

新規設計に推奨

1GHz~60GHz、反射型、シリコンSP4Tスイッチ

利用上の注意

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なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」(リビジョン0)で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」(Rev.J)と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。

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製品情報

  • 超広帯域周波数範囲:1GHz~60GHz
  • 低挿入損失
    • 2.2dB(代表値、40GHzまで)
    • 2.8dB(代表値、55GHzまで)
    • 3.2dB(代表値、60GHzまで)
  • 高アイソレーション
    • 33dB(代表値、40GHzまで)
    • 28dB(代表値、55GHzまで)
    • 28dB(代表値、60GHzまで)
  • 高入力直線性
    • P0.1dB:25dBm(代表値)
    • IP3:47dBm(代表値)
  • 大RF電力処理
    • スルー・パス:24dBm
    • ホット・スイッチング・パス:24dBm
  • CMOS/LVTTL互換
  • 低周波数スプリアスなし
  • 高速RFスイッチング時間:25ns
  • RFセトリング・タイム(50% VCTRL~0.1dBのRFOUT):35ns
  • 単電源で動作可能(VDD = 3.3V、VSS = 0V)
  • 24端子、3mm × 3mm、RoHS準拠、LGAパッケージ

ADRF5054は、シリコン・プロセスで製造された反射型SP4Tスイッチです。ADRF5054は1GHz~60GHzで動作します。このスイッチは低い挿入損失を特徴としています。40GHzと60GHzで動作する場合の挿入損失はそれぞれ2.2dBと3.2dB、アイソレーションは33dBと28dBとなっています。ADRF5054は、スルー・パスとホット・スイッチング・パスに対応する、24dBmのRF入力電力処理機能を備えます。ADRF5054は±3.3Vの両電源電圧を必要とし、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)/低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック(LVTTL)互換の制御を使用します。

ADRF5054は、負電源電圧(VSS)をグラウンドに接続し、正側(供給)単電源電圧(VDD)を印加する場合も動作します。この動作状態では、スイッチング特性、直線性、および電力処理性能はディレーティングされますが、小信号性能は維持されます。詳細については、データシートの表2を参照してください。

ADRF5054は、24端子、3mm × 3mmのRoHS準拠ランド・グリッド・アレイ(LGA)パッケージで提供され、 −40°C~+105°Cで動作可能です。

アプリケーション

  • 工業用スキャナ
  • 試験用計測器
  • セルラ・インフラストラクチャ – ミリ波5G
  • 防衛用無線、レーダー、電子対抗手段(ECM)
  • マイクロ波無線および超小型地球局(VSAT)
  • ADRF5054
    1GHz~60GHz、反射型、シリコンSP4Tスイッチ
    ADRF5054 - Functional Block Diagram ADRF5054 - Pin Configuration ADRF5054 - Chip Image
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