HMC863
製造中止HMC863 / HMC863LP4E
Half-Watt Power Amplifier Chip or SMT, 22 GHz to 26.5 GHz or 24 GHz to 29.5 GHz
- 製品モデル
- 3
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- Saturated output power: +27.5 dBm at 15% PAE, +28 dBm at 18% PAE
- High output IP3: +33 dBm, +39 dBm
- High gain: 21.5 dB, 27 dB
- DC supply: +6 V at 350 mA or 375 mA
- 50 Ω matched input/output
- Die size: 2.41 × 0.95 × 0.1 mm
- 24-lead, 4 × 4 mm, surface-mount technology (SMT) package
The HMC863 devices are three-stage, GaAs, monolithic microwave integrated circuit (MMIC), and PHEMT half-watt power amplifiers which operate between 22 GHz to 26.5 GHz or 24 GHz to 29.5 GHz. These amplifiers provide up to 21.5 dB or 27 dB of gain and +27.5 dBm at 15% PAE or +28 dBm at 18% PAE of saturated output power from a +6 V supply. The RF inputs/outputs are dc-blocked and matched to 50 Ω for ease of integration into multichip modules (MCMs) or higher level assemblies. All data is taken with the chip in a 50 Ω test fixture connected via 0.025 mm (1 mil) diameter wire bonds of 0.31 mm (12 mils) length. The power amplifier SMT can also be operated from a 5 V supply with only a slight decrease in output power and IP3.
Applications
- Point-to-point radios
- Point-to-multipoint radios
- VSAT
- Military and space
推奨代替製品
GaAs pHEMT MMIC 1/2 Watt Power Amplifier, 24 - 29.5 GHz
ドキュメント
品質関連資料 2
テープ&リール仕様 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC863 | CHIPS OR DIE | ||
HMC863LP4E | 24-Lead QFN (4mm x 4mm w/ EP) | ||
HMC863LP4ETR | 24-Lead QFN (4mm x 4mm w/ EP) |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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6 6, 2022 - 22_0048 Addition of ASE Korea as an Alternate Assembly Site for Select LFCSP Products |
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HMC863LP4E | 製造中止 | |
HMC863LP4ETR | 製造中止 | |
1 11, 2017 - 16_0010 Discontinuance of Select RF and Microwave Products |
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HMC863 | 製造中止 | |
HMC863LP4E | 製造中止 | |
HMC863LP4ETR | 製造中止 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ソフトウェア・リソース
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製品モデル | 製品ライフサイクル | 詳細 |
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HMC863ALC4 | 新規設計に推奨 | GaAs pHEMT MMIC 1/2 Watt Power Amplifier, 24 - 29.5 GHz |