HMC6505A
新規設計に推奨5.5 GHz ～ 8.6 GHz、GaAs、MMIC、I/Q アップコンバータ
- 製品モデル
- 3
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品情報
- 変換ゲイン: 15 dB（代表値）
- サイドバンド除去比: 22 dBc（代表値）
- 最大ゲインでの出力 P1dB 圧縮ポイント: 22 dBm（代表値）
- 最大ゲインでの出力 IP3: 35 dBm（代表値）
- LO/RF アイソレーション: 4 dB（代表値）
- LO/IF アイソレーション: 9 dB（代表値）
- RF リターン・ロス: 20 dB（代表値）
- LO リターン・ロス: 10 dB（代表値）
- IF リターン・ロス: 20 dB（代表値）
- エクスポーズド・パッド、5 mm × 5 mm、32 端子、リードレス・チップ・キャリア・パッケージ
HMC6505A は、RoHS 準拠の小型パッケージに収められた、ガリウム・ヒ素（GaAs）、擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ（pHEMT）、モノリシック・マイクロ波集積回路（MMIC）のアップコンバータで、5.5 GHz ～ 8.6 GHz で動作します。このデバイスは 15 dB の小信号変換ゲインを与え、サイドバンド除去比は 22 dBc です。HMC6505A は可変ゲイン・アンプ（VGA）を使用し、その前に同相／直交（I/Q）ミキサーが置かれています。このミキサーはアクティブ局部発振器（LO）によって駆動されます。IF1 と IF2 のミキサー入力を備えており、必要な側波帯を選択するのに外部 90° ハイブリッドが必要です。この I/Q ミキサー・トポロジーにより、不要な側波帯のフィルタリングの必要性が減少します。HMC6505A は、ハイブリッド型単側波帯（SSB）アップコンバータ・アセンブリより小さい代替デバイスです。また、表面実装製造技術を使用できるので、ワイヤ・ボンディングが不要です。
HMC6505A は 5 mm × 5 mm の 32 端子リードレス・チップ・キャリア（LCC）パッケージで提供され、−40 ºC ～ +85 ºC の温度範囲で動作します。HMC6505A 用の評価用ボードも要望に応じて提供されます。
アプリケーション
- ポイント to ポイントおよびポイント to マルチポイント無線
- 防衛用レーダー、電子戦（EW）および電子諜報（ELINT）
- 衛星通信
- 各種センサー
ドキュメント
製品選択ガイド 1
| 製品モデル | ピン／パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| HMC6505ALC5 | 32-Lead LCC (4.9mm x 4.9mm) | ||
| HMC6505ALC5TR | 32-Lead LCC (4.9mm x 4.9mm) | ||
| HMC6505ALC5TR-R5 | 32-Lead LCC (4.9mm x 4.9mm) |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ソフトウェア・リソース
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Sパラメータ 1
ADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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HMC6505A Evaluation Board