DS2016

过期

2k x 8、工作于3V/5V的静态RAM

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概述

低功耗CMOS设计
待机电流
- t_A = 25°C，V_CC = 3.0V时，最大50nA
- t_A = 25°C，V_CC = 5.5V时，最大100nA
- t_A = +60°C，V_CC = 5.5V时，最大1µA
电源工作范围V_CC = 5.5V至2.7V
数据保持电压为：5.5V至2.0V
快速的5V访问时间
- DS2016-100 100ns
降速的3V访问时间
- DS2016-100 250ns
-40°C至+85°C工作温度范围
全静态工作
5.5V至2.7V电压范围的输入和输出,与TTL电平兼容的
采用24引脚DIP封装和24引脚SO封装
尤其适合于电池供电和备份电池的应用

DS2016 2k x 8 3V/5V供电静态RAM是16,384位、低功耗、全静态随机访问存储器，采用CMOS技术以8位为单位分为2048个字。该器件工作在单电源下，具有2.7V至5.5V的输入电压。芯片使能输入(/CE)用于选择器件，可启动最低待机电流模式，满足电池供电和电池备份应用的需求。当采用5V电源供电时，该器件提供100ns快速访问时间，而采用3V输入时，则具有250ns的性能相对优异的访问时间。当输入电压介于2.7V至5.5V时，器件保持TTL电平输入和输出。DS2016是一款JEDEC标准2k x 8 SRAM，与相似容量的ROM和EPROM引脚兼容。