DS2016

2k x 8、工作于3V/5V的静态RAM

数据手册 (Rev. 2)
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  • 低功耗CMOS设计
  • 待机电流
    • tA = 25°C，VCC = 3.0V时，最大50nA
    • tA = 25°C，VCC = 5.5V时，最大100nA
    • tA = +60°C，VCC = 5.5V时，最大1µA
  • 电源工作范围VCC = 5.5V至2.7V
  • 数据保持电压为：5.5V至2.0V
  • 快速的5V访问时间
    • DS2016-100 100ns
  • 降速的3V访问时间
    • DS2016-100 250ns
  • -40°C至+85°C工作温度范围
  • 全静态工作
  • 5.5V至2.7V电压范围的输入和输出,与TTL电平兼容的
  • 采用24引脚DIP封装和24引脚SO封装
  • 尤其适合于电池供电和备份电池的应用
DS2016
2k x 8、工作于3V/5V的静态RAM
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