DS1350Y

4096k非易失SRAM，带有电池监测器

数据手册 (Rev. 3)

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产品详情

在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
当V_CC电压跌落时，电源监视器能够复位处理器、并在V_CC上升期间持续保持处理器的复位状态
电池监视器核查剩余电量
70ns的读写存取时间
没有写次数限制
典型待机电流50µA
可升级512k x 8 SRAM、EEPROM或闪存
第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
±10% V_CC工作范围(DS1350Y)或±5% V_CC工作范围(DS1350AB)
可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
PowerCap模块(PCM)封装
- 表面贴装模块
- 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
- 所有NV SRAM器件提供标准引脚
- 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸

参考资料

数据手册 2

DS1350AB-DS1350Y: 4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor Data Sheet (Rev.3) 10/20/2010

2700: 4096k非易失SRAM，带有电池监测器 Data Sheet 01/01/1900

设计笔记 3

非易失存储器的替代规则 04/27/2011

Timing Considerations When Using NVSRAM 03/20/2006

Battery Monitoring in NV SRAM Modules 06/28/2004

技术文章 1

NV SRAM Frequently Asked Questions 05/14/2002

这是最新版本的数据手册

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