DS1258Y
128k x 16非易失SRAM
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产品详情
- 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
- 掉电期间数据被自动保护
- 独立的向上/向下字节片选输入
- 没有写次数限制
- 低功耗CMOS操作
- 70ns的读写存取时间
- 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
- ±10%电源工作范围(DS1258Y)
- 可选择±5%电源工作范围(DS1258AB)
- 可选的工业级温度范围为-40°C至+85°C，指定为IND
DS1258 128k x 16非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照16位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1258器件可以用来替代利用各种分立元件构建的128k x 16非易失存储器。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
参考资料
这是最新版本的数据手册
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