DS1220Y

16K非易失SRAM

数据手册 (Rev. 2)

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产品详情

在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM
没有写次数限制
低功耗CMOS操作
JEDEC标准的24引脚DIP封装
100ns的读写存取时间
±10%工作范围
可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND

参考资料

数据手册 2

DS1220Y: 16K Nonvolatile SRAM Data Sheet (Rev.2) 10/19/2010

DS1220Y: 16K非易失SRAM Data Sheet 01/01/1900

可靠性数据 1

DS1220Y Reliability Data 01/12/2023

设计笔记 1

非易失存储器的替代规则 04/27/2011

这是最新版本的数据手册

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