DS1200

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串行RAM芯片

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概述

  • 1024位读/写存储器
  • 对于备用电池应用提供极低的数据保持电流
  • 每秒四百万比特的数据率
  • 具有单字节或多字节数据传输能力
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS电路

DS1200串行RAM芯片是一个微型读/写存储器，能够随机存取单个8位数据串(字节)或连续存取1024位数据块(突发模式)。片内电路降低了与微处理器的接口成本，仅需CLK、/RST及DQ三个信号便可实现数据传输。

在电池输入端VBAT接入一个2V至4V的电池便可获得非易失性。对于要求一定数据保持时间的应用可以按照0.5µA负载确定外部电池的容量。如果不要求非易失性，VBAT引脚应接地。

应用

  • 自动系统设置
  • 校准器
  • 计算机识别
  • 安全人员区域
  • 软件授权
  • 系统接入控制
  • 旅行工作记录
DS1200
串行RAM芯片
DS1200：原理框图
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