概览

优势和特点

  • 集成式双通道 RF 前端
    • 2 级 LNA 和高功率 SPDT 开关
    • 片内偏置和匹配
    • 单电源供电
  • 增益
    • 高增益模式:2.3 GHz 时为 35 dB(典型值)
    • 低增益模式:2.3 GHz 时为 17 dB(典型值)
  • 低噪声指数
    • 高增益模式:2.3 GHz 时为 1.4 dB(典型值)
    • 低增益模式:2.3 GHz 时为 1.4 dB(典型值)
  • 高隔离
    • RxOUT-ChA 和 RxOUT-ChB 之间:50 dB(典型值)
    • TERM-ChA 和 TERM-ChB 之间:62 dB(典型值)
  • 低插入损耗:2.3 GHz 时为 0.6 dB(典型值)
  • TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
    • 整个生命周期
      • LTE 平均功率 (9 dB PAR):40 dBm
    • 单一事件(<10 秒运行)
      • LTE 平均功率 (9 dB PAR):43 dBm
  • 高 OIP3:32 dBm(典型值)
  • 关断模式和低增益模式(针对 LNA)
  • 低电源电流
    • 高增益模式:5V 时为 85 mA(典型值)
    • 低增益模式:5 V 时为 35 mA(典型值)
    • 关断模式:5 V 时为 12 mA(典型值)
  • 正逻辑控制
  • 6 mm × 6 mm 40 引脚 LFCSP

产品详情

ADRF5549 是一款双通道集成式 RF 前端多芯片模块,专为工作频率为 1.8 GHz 至 2.8 GHz 的时分双工 (TDD) 应用而设计。ADRF5549 采用双通道配置,包含级联两级低噪声放大器 (LNA) 和高功率硅单刀双掷 (SPDT) 开关。

在高增益模式下,级联两级 LNA 和开关提供 1.4 dB 的低噪声指数 (NF) 和 35 dB 的高增益以及 32 dBm(典型值)的输出三阶交调截点 (OIP3)。

在低增益模式下,两级 LNA 的一级处于旁路模式,在 35 mA 的较低电流下提供 17 dB 的增益。在关断模式下,LNA 将关闭,器件流耗为 12 mA。

在发射过程中,当 RF 输入连接到端电极引脚(TERM-ChA 或 TERM-ChB)时,该开关提供 0.6 dB 的低插入损耗,并处理 40 dBm 的长期演进 (LTE) 全生命周期平均值(9 dB 峰值/平均值比 (PAR)),以及 43 dBm 的 9 dB PAR LTE 单事件(<10秒)平均值。该器件采用符合 RoHS 要求的、紧凑型 6mm×6mm、 40 引脚引线框架芯片级封装(LFCSP)。

应用

  • 无线基础设施
  • TDD 大规模多输入和多输出 (MIMO) 以及有源天线系统
  • 基于 TDD 的通信系统

产品生命周期 icon-recommended 推荐新设计使用

本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

评估套件 (1)

工具及仿真模型

S参数

设计资源

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