概览
优势和特点
- 集成式双通道 RF 前端
- 2 级 LNA 和高功率 SPDT 开关
- 片内偏置和匹配
- 单电源供电
- 增益
- 高增益模式：2.3 GHz 时为 35 dB（典型值）
- 低增益模式：2.3 GHz 时为 17 dB（典型值）
- 低噪声指数
- 高增益模式：2.3 GHz 时为 1.4 dB（典型值）
- 低增益模式：2.3 GHz 时为 1.4 dB（典型值）
- 高隔离
- RxOUT-ChA 和 RxOUT-ChB 之间：50 dB（典型值）
- TERM-ChA 和 TERM-ChB 之间：62 dB（典型值）
- 低插入损耗：2.3 GHz 时为 0.6 dB（典型值）
- TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
- 整个生命周期
- LTE 平均功率 (9 dB PAR)：40 dBm
- 单一事件（<10 秒运行）
- LTE 平均功率 (9 dB PAR)：43 dBm
- 整个生命周期
- 高 OIP3：32 dBm（典型值）
- 关断模式和低增益模式（针对 LNA）
- 低电源电流
- 高增益模式：5V 时为 85 mA（典型值）
- 低增益模式：5 V 时为 35 mA（典型值）
- 关断模式：5 V 时为 12 mA（典型值）
- 正逻辑控制
- 6 mm × 6 mm 40 引脚 LFCSP
产品详情
ADRF5549 是一款双通道集成式 RF 前端多芯片模块，专为工作频率为 1.8 GHz 至 2.8 GHz 的时分双工 (TDD) 应用而设计。ADRF5549 采用双通道配置，包含级联两级低噪声放大器 (LNA) 和高功率硅单刀双掷 (SPDT) 开关。
在高增益模式下，级联两级 LNA 和开关提供 1.4 dB 的低噪声指数 (NF) 和 35 dB 的高增益以及 32 dBm（典型值）的输出三阶交调截点 (OIP3)。
在低增益模式下，两级 LNA 的一级处于旁路模式，在 35 mA 的较低电流下提供 17 dB 的增益。在关断模式下，LNA 将关闭，器件流耗为 12 mA。
在发射过程中，当 RF 输入连接到端电极引脚（TERM-ChA 或 TERM-ChB）时，该开关提供 0.6 dB 的低插入损耗，并处理 40 dBm 的长期演进 (LTE) 全生命周期平均值（9 dB 峰值/平均值比 (PAR)），以及 43 dBm 的 9 dB PAR LTE 单事件（<10秒）平均值。该器件采用符合 RoHS 要求的、紧凑型 6mm×6mm、 40 引脚引线框架芯片级封装（LFCSP）。
应用
- 无线基础设施
- TDD 大规模多输入和多输出 (MIMO) 以及有源天线系统
- 基于 TDD 的通信系统
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
评估套件 (1)
参考资料
-
RF、微波和毫米波IC选型指南7/13/2018PDF3 M
-
ADI公司适用于5G的硅(SOI) RF前端解决方案10/18/2019
-
ADI的RF前端系列支持实现紧凑型5G大规模MIMO网络无线电9/1/2019
工具及仿真模型
S参数
ZIP
ADRF5549 S-Parameters
784.6 K
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