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概览

优势和特点

  • 激光调整高精度
    5.00 V ± 2.0 mV (M级)
  • 经过调整的温度系数
    2 ppm/°C(最大值,0°C至70°C,M级)
    5 ppm/°C(最大值,-40°C至+85°C,B级和L级)
    10 ppm/°C(最大值,-55°C至+125°C,T级)
  • 低噪声:100 nV/√Hz
  • 降噪能力
  • 输出调整能力
  • 提供符合MIL-STD-883标准的版本
  • 提供工业温度范围SOIC封装
  • 输出源电流或吸电流:10 mA

产品详情

AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。

AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低嵌入式齐纳二极管产生的噪声电平。

AD586推荐用作需要外部精密基准电压源的8位、10位、12位、14位或16位数模转换器(DAC)的基准电压源。该器件也适合最高14位精度的逐次逼近型或集成式模数转换器(ADC),而且其性能通常优于标准片内基准电压源。

AD586J/K/L/M的额定工作温度范围为0°C至+70°C,AD586A/B为-40°C至+85°C,AD586S/T则为-55°C至+125°C。AD586J/K/L/M提供8引脚塑封DIP封装;AD586J/K/L/A/B提供8引脚塑封表贴小型(SO)封装;AD586J/K/L/S/T提供8引脚CERDIP封装。

产品生命周期 icon-recommended 量产

该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计,但也可能有更新的替代产品。

设计资源

ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。

Part Number Material Declaration Reliability Data Pin/Package Drawing CAD Symbols, Footprints & 3D Models
5962-8982401PA 材料声明 质量和可靠性 8-Lead CerDIP
5962-8982402PA 材料声明 质量和可靠性 8-Lead CerDIP
AD586ARZ 材料声明 质量和可靠性 8-Lead SOIC
AD586ARZ-REEL 材料声明 质量和可靠性 8-Lead SOIC
AD586ARZ-REEL7 材料声明 质量和可靠性 8-Lead SOIC
AD586BRZ 材料声明 质量和可靠性 8-Lead SOIC
AD586BRZ-REEL7 材料声明 质量和可靠性 8-Lead SOIC
AD586JNZ 材料声明 质量和可靠性 8-Lead PDIP
AD586JQ 材料声明 质量和可靠性 8-Lead CerDIP
AD586JRZ 材料声明 质量和可靠性 8-Lead SOIC
AD586JRZ-REEL7 材料声明 质量和可靠性 8-Lead SOIC
AD586KNZ 材料声明 质量和可靠性 8-Lead PDIP
AD586KQ 材料声明 质量和可靠性 8-Lead CerDIP
AD586KRZ 材料声明 质量和可靠性 8-Lead SOIC
AD586KRZ-REEL 材料声明 质量和可靠性 8-Lead SOIC
AD586KRZ-REEL7 材料声明 质量和可靠性 8-Lead SOIC
AD586LQ 材料声明 质量和可靠性 8-Lead CerDIP
AD586LRZ 材料声明 质量和可靠性 8-Lead SOIC
AD586LRZ-REEL 材料声明 质量和可靠性 8-Lead SOIC
AD586LRZ-REEL7 材料声明 质量和可靠性 8-Lead SOIC
AD586MNZ 材料声明 质量和可靠性 8-Lead PDIP
AD586SQ 材料声明 质量和可靠性 8-Lead CerDIP
AD586TQ 材料声明 质量和可靠性 8-Lead CerDIP
AD586TQ/883B 材料声明 质量和可靠性 8-Lead CerDIP
Wafer Fabrication Data

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