ADR439
过期超低噪声、4.5V XFET®基准电压源，具有吸电流和源电流能力
Viewing:
概述
- 低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）：
3.5 µV p-p（2.5 V输出） - 无需外部电容
- 低温度系数
A 级: 10 ppm/°C （最大值）
B 级: 3 ppm/°C （最大值） - 负载调整率：15 ppm/mA
- 线性调整率：20 ppm/V
- 宽工作电压范围：
ADR430: 4.1 V 至 18 V
ADR431: 4.5 V 至18 V
ADR433: 5.0 V 至 18 V
ADR434: 6.1 V 至 18 V
ADR435: 7.0 V 至 18 V
ADR439: 6.5 V 至18 V - 高输出源电流和吸电流：
+30 mA和−20 mA - 宽温度范围：−40°C至+125°C
ADR43x是XFET系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至低点。
与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。
ADR43x系列的源电流输出高达30 mA，最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚，可以在0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。
ADR43x提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。
应用
参考资料
最新评论
需要发起讨论吗？ 没有关于 ADR439的相关讨论？是否需要发起讨论？
在EngineerZone®上发起讨论