AN-2627: EV-AD74416H-ARDZ のEMC レポート

特長

EV-AD74416H-ARDZ のEMC 堅牢性テスト

概要

本アプリケーション・ノートでは、過渡耐性試験におけるAD74416H の堅牢性を例証します。試験は、電気機器および電子機器のシステム・レベルの耐性評価方法を規定したIEC61000-4-x シリーズの規格に従って行っています。この回路の性能が、静電放電(ESD)、電気的高速トランジェント(EFT)、およびサージに対して十分な耐性を有していることを確認するために、EV-AD74416H-ARDZ 評価用ボードの特性を評価しています。

図1. EV-AD74416H-ARDZ ボードの写真
図1. EV-AD74416H-ARDZ ボードの写真

伝導電磁環境適合性(EMC)試験の概要

耐性試験の結果は、通常、表1 に示す4 つのカテゴリに分類されます。最終アプリケーションの要件およびトランジェント・ノイズに対する耐性に応じて、特定の性能基準に対するシステムの合否が決まります。表2 に、伝導EMC 試験の結果の概要を示します。

表1. 性能の分類
性能 説明
クラスA メーカーが仕様規定する誤差範囲内での通常動作。
クラスB 擾乱が除去されると収まる、一時的な機能喪失または性能低下。試験対象の装置は、オペレータが介入することなく通常動作に回復します。
クラスC 一時的な機能喪失または性能低下。性能の回復には、手動での再起動、電源オフ、電源オンなどのオペレータの介入が必要です。
クラスD 回復不可能な機能喪失または性能低下、ハードウェアやソフトウェアへの恒久的損傷、またはデータの喪失。
表2. EMC 試験の概要(EV-AD74416H-ARDZ)
Test Use Case Standard Test Levels Performance
ESD Voltage output IEC 61000-4-2 ±8kV contact discharge, ±16kV air discharge Class B
Current output Class B
Digital output Class B
Surge Voltage output IEC 61000-4-5 ±1.2kV Class B
Digital output Class B
EFT Voltage output IEC 61000-4-4 ±2kV Class B
Current output Class B
3-wire resistance temperature detector (RTD) measurement Class B
Digital input Class A
Digital output Class A

EV-AD74416H-ARDZ のジャンパ構成

EMC 試験時のEV-AD74416H-ARDZ のジャンパ構成は、試験対象となる具体的な使用事例によって決まります。図2 および図3 は、基板のジャンパ構成オプションを反映したものです。

図2. EV-AD74416H-ARDZ の構成1(デジタル出力)
図2. EV-AD74416H-ARDZ の構成1(デジタル出力)
図3. EV-AD74416H-ARDZ の構成2(その他)
図3. EV-AD74416H-ARDZ の構成2(その他)

試験の説明

ESD

ESD 耐性試験は、数十ナノ秒間にわたり直接電子部品に放電が行われる状況をエミュレートしたものです。接触放電と気中放電の2 つの放電方法が用いられます。接触放電では、試験対象デバイス(DUT)の導体表面へ放電が行われます。接触ESD 試験では、DUT(ピン)に直接接続するための鋭い針先を備えたESD 試験ジェネレータを使用します。エアギャップESD 試験では、ジェネレータに丸みを帯びた針先を付け加えてDUT(ピン)に近づけ、スパークをトリガします。IEC 61000-4-2 の試験レベルを表3 に示します。

表3. IEC 61000-4-2 の試験レベル 1 これがEV-AD74416H-ARDZ で達成された性能です。
Level Contact Discharge (kV) Air Discharge (kV)
1 ±2 ±2
2 ±4 ±4
3 ±6 ±8
41 ±81 ±151

ESD 試験ボードのセットアップ

放電を加えるには、直接的に行う方法と間接的に行う方法の2 つがあります。直接加える方法では、導電性表面および結合板に直接接触させます。間接的に加える方法では、絶縁表面で気中放電させます。DUT には、放電タイプごとに、各定格で少なくとも20 回(正負それぞれの極性で各10 回)の放電を行います。放電は1 秒に1 回の割合で繰り返します。

接触放電は、設定されたモードに応じて接触放電注入ポイントに適用されます。一般に、注入ポイントは、IO/P_x、IO/N_x、ISN_x、ケーブル・シールド接続部、水平結合板(HCP)です。

気中放電は、HCP を除き接触放電時と同じポイントに適用されます。これらのポイントは、IO/P_x、IO/N_x、ISN_x、シールド接続部です。

HCP には、アース・グラウンドに接続されたグラウンド・リファレンス面(GRP)との間に470kΩ のブリーダ抵抗を2 個接続します。

ESD 試験時の全体的な回路セットアップを、図4 および図5 に示します。

表4. ESD 試験のセットアップ
Use Case Output Connected Load Cable Used EV Kit Jumpers Setting
Voltage output ±6V 1kΩ Shielded 3-wire, P/N 1293C, 3C, 22 AWG, 2 meters Configuration 2
Current output 10mA 500.06Ω Shielded 2-wire, P/N 2211C, SL005, 22 AWG, 2 meters Configuration 2
Digital output ~227mA ~100Ω Unshielded 2-wire, P/N 1172C, 2C, 22 AWG, 2 meters Configuration 1
図4. ESD 試験セットアップの回路図
図4. ESD 試験セットアップの回路図
図5. ESD 試験セットアップの写真
図5. ESD 試験セットアップの写真

ESD 試験結果

表5~表8 は、EMC 試験中に収集したデータおよび試験結果を記載したものです。各試験の間、約1000 個の測定サンプルを収集して平均処理を行い、ESD 試験がDUT の精度に与える影響を判定しました。

表5. 接触放電(注入ポイント:IO/P_x、IO/N_x、ISN_x、シールド接続部、HCP) – レベル4、±8kV/クラスB 1 RLOAD = 500.06Ω で電圧を測定し、それを再計算して電流に変換しています。
Channel Function Pretest Digital
Multimeter (DMM)
Average
Pretest Analog-to-Digital Converter
(ADC) Average
Posttest DMM Average Posttest ADC Average DMM Deviation
(Pre and Post)
(ppmFS)
ADC Deviation
(Pre and Post)
(ppmFS)
CH_A_bi6V 6.004615409V 6.003831022V 6.004656176V 6.00387668V 1.70 1.90
CH_A_bi-6V −6.001820354V −6.001238955V −6.001818618V −6.001229809V +0.07 +0.38
CH_B_bi6V +6.007591012V +6.006742152V +6.007545162V +6.0067045V −1.91 −1.57
CH_B_bi-6V −6.001446495V −6.000794951V −6.001424471V −6.000766199V +0.92 +1.20
CH_C_bi6V 6.003716401V 6.002895277V 6.003722524V 6.002900341V 0.26 0.21
CH_C_bi-6V −6.003450557V −6.002793235V −6.003428643V −6.002771075V +0.91 +0.92
CH_D_bi6V +6.007743144V +6.006943163V +6.007667978V +6.00686348V −3.13 −3.32
CH_D_bi-6V −6.000935691V −6.000343455V −6.001019659V −6.000424806V −3.50 −3.39
CH_A_10mA1 +0.010007245A +0.010008569A +0.010007114A +0.01000831A −5.26 −10.35
CH_B_10mA1 +0.010004338A +0.010005315A +0.010004323A +0.010006013A −0.60 +27.90
CH_C_10mA1 +0.01000277A +0.010004524A +0.010002771A +0.010004215A +0.05 −12.37
CH_D_10mA1 +0.010005839A +0.010007409A +0.010005913A +0.01000711A +2.95 −11.94
表6. デジタル出力の接触放電(注入ポイント:IO/P_x、IO/N_x、HCP) – レベル4、±8kV/クラスB
Channel Function Pretest DMM Average (V) Pretest ADC Average (A) Posttest DMM Average (V) Posttest ADC Average (A) DMM Deviation (Pre and Post) (%) ADC Deviation (Pre and Post) (%)
CH_A_DO_ON +22.18336224 +0.220602796 +22.1839768 +0.220535877 +0.0028 −0.0303
CH_A_DO_OFF 0.000169791 0.000508626 9.67679E-05 0.000508626 ~0V ~0A
CH_A_DO_ON_SMRT +22.83929409 +0.228207806 +22.83820961 +0.228290932 −0.0047 +0.0364
CH_A_DO_OFF_SMRT 0.000184119 0.000508626 0.000103071 0.000508626 ~0V ~0A
CH_B_DO_ON +22.18932823 +0.219750747 +22.19013657 +0.219732447 +0.0036 −0.0083
CH_B_DO_OFF 0.000169761 0.000508626 0.000104632 0.000508626 ~0V ~0A
CH_B_DO_ON_SMRT +22.84081346 +0.227178835 +22.84012299 +0.227157294 −0.0030 −0.0095
CH_B_DO_OFF_SMRT 0.000173796 0.000508626 0.000101577 0.000508626 ~0V ~0A
CH_C_DO_ON +22.18670078 +0.220008551 +22.18775161 +0.219972498 +0.0047 −0.0164
CH_C_DO_OFF 0.000165048 0.000508626 9.47727E-05 0.000508626 ~0V ~0A
CH_C_DO_ON_SMRT +22.84039546 +0.227600098 +22.83962495 +0.227545046 −0.0034 −0.0242
CH_C_DO_OFF_SMRT 0.000173747 0.000508626 0.000102702 0.000508626 ~0V ~0A
CH_D_DO_ON 22.1826696 0.217738632 22.18320085 0.217832279 0.0024 0.0430
CH_D_DO_OFF 0.00016725 0.000508626 0.000104991 0.000508626 ~0V ~0A
CH_D_DO_ON_SMRT +22.8394737 +0.225451501 +22.83937705 +0.225411658 −0.0004 −0.0177
CH_D_DO_OFF_SMRT 0.000172065 0.000508626 0.000108755 0.000508626 ~0V ~0A
表7. 気中放電(設定モードに応じて決定可能な注入ポイント:IO/P_x、IO/N_x、ISN_x、シールド接続部) – レベル4、±16kV/クラスB 1 RLOAD = 500.06Ω で電圧を測定し、それを再計算して電流に変換しています。
Channel Function Pretest DMM Average Pretest ADC Average Posttest DMM Average Posttest ADC Average DMM Deviation (Pre and Post) (ppmFS) ADC Deviation (Pre and Post) (ppmFS)
CH_A_10mA1 +0.010007402A +0.010008648A +0.010007255A +0.010008512A −5.86 −5.47
CH_B_10mA1 0.010004392A 0.010005395A 0.010004476A 0.010005495A 3.38 4.00
CH_C_10mA1 +0.010002742A +0.010003837A +0.010002721A +0.010003822A −0.85 −0.62
CH_D_10mA1 +0.010005892A +0.010007102A +0.010005742A +0.010008545A −5.99 +57.71
CH_A_bi6V 6.004623489V 6.003840096V 6.004650668V 6.003868138V 1.13 1.17
CH_A_bi-6V −6.001894773V −6.001296712V −6.001858117V −6.001261495V +1.53 +1.47
CH_B_bi6V +6.007573776V +6.006726515V +6.007505326V +6.006662733V −2.85 −2.66
CH_B_bi-6V −6.001466115V −6.000830791V −6.001485135V −6.000852554V −0.79 −0.91
CH_C_bi6V +6.003884482V +6.003037401V +6.003858485V +6.00305146V −1.08 +0.59
CH_C_bi-6V −6.003470615V −6.002838795V −6.00349384V −6.002856055V −0.97 −0.72
CH_D_bi6V +6.007809671V +6.007014714V +6.007804631V +6.00701726V −0.21 +0.11
CH_D_bi-6V −6.001032974V −6.000447468V −6.001015603V −6.000432093V +0.72 +0.64
表8. デジタル出力の気中放電(注入ポイント:IO/P_x、IO/N_x) – レベル4、±16kV/クラスB
Channel Function Pretest DMM Average (V) Pretest ADC Average (A) Posttest DMM Average (V) Posttest ADC Average (A) DMM Deviation (Pre and Pos) (%) ADC Deviation (Pre and Pos) (%)
CH_A_DO_ON +22.19597171 +0.21865356 +22.18742846 +0.220580556 −0.0385 +0.8813
CH_A_DO_OFF 0.000185938 0.000508626 8.75423E-05 0.000508626 ~0V ~0A
CH_A_DO_ON_SMRT +22.84237685 +0.228308734 +22.84242271 +0.228248397 +0.0002 −0.0264
CH_A_DO_OFF_SMRT 0.000179676 0.000508626 0.000109608 0.000508626 ~0V ~0A
CH_B_DO_ON +22.19330733 +0.219761069 +22.19436792 +0.219694848 +0.0048 −0.0301
CH_B_DO_OFF 0.000170797 0.000508626 0.000100995 0.000508626 ~0V ~0A
CH_B_DO_ON_SMRT +22.84254127 +0.22735127 +22.84183271 +0.227268244 −0.0031 −0.0365
CH_B_DO_OFF_SMRT 0.000187051 0.000508626 0.00010808 0.000508626 ~0V ~0A
CH_C_DO_ON +22.18857541 +0.220140644 +22.18924095 +0.220098408 +0.0030 −0.0192
CH_C_DO_OFF 0.000170585 0.000508626 9.38875E-05 0.000508626 ~0V ~0A
CH_C_DO_ON_SMRT +22.84084642 +0.227750093 +22.83996994 +0.227679134 −0.0038 −0.0312
CH_C_DO_OFF_SMRT 0.000179314 0.000508626 0.000102094 0.000508626 ~0V ~0A
CH_D_DO_ON +22.18362141 +0.217877506 +22.18406873 +0.217834373 +0.0020 −0.0198
CH_D_DO_OFF 0.00017023 0.000508626 0.000106152 0.000508626 ~0V ~0A
CH_D_DO_ON_SMRT +22.8403201 +0.225468804 +22.83997762 +0.22540722 −0.0015 −0.0273
CH_D_DO_OFF_SMRT 0.000169344 0.000508626 9.9034E-05 0.000508626 ~0V ~0A

ESD 試験のまとめ

EV-AD74416H-ARDZ は、ESD 試験を最大ESD レベル4(±8kVの接触放電および±16kV の気中放電)で合格しました。このセットアップは更に高い電圧が可能です。しかし、規格に定められた最高レベルを超えても利点はありません。システムは一貫してクラスB 要件を満たして(セットアップ機能に基づき)動作し、反射ESD 試験中にアラートがトリガされることはありません。

測定結果およびESD 印加前(pre)と印加後(post)の性能比較によれば、最大絶対偏差は60ppmFS(電流モードの内部ADCにより測定)未満であり、最も一般的な偏差は5ppmFS 程度もしくはそれ未満です。絶対電流誤差は60ppmFS 未満であり、これは絶対偏差が1.5μA 未満であることに相当します。システム精度の代表的な期待値が約0.1%である場合、60ppmFS(0.006% FS)という値は、AD74416H のデータシート仕様内に十分収まっているとみなされます。

デジタル出力電圧の測定結果およびEFT 印加前(pre)と印加後(post)の性能比較によれば、最大絶対偏差は1%未満であり、AD74416H チップに期待される性能の範囲に収まっています。

これらの結果に基づき、EV-AD74416H-ARDZ システムでのAD74416H は、ESD の観点から堅牢であるとみなされ、ESD レベル4(±8kV の接触放電および±16kV の気中放電)をクラスB性能で満たします。

サージEMC 試験

サージ耐性試験は、落雷などの事象によるサージまたは重負荷の切り替えや短絡フォルト状態による工業用電源のサージに耐えることのできる、デバイスや装置の能力を示すものです。

工業環境について定めたIEC 61000-4-5 規格によれば、サージは、立上がり時間1.2μs、パルス幅50μs のオープン・サーキット電圧と、立上がり時間8μs、パルス幅20μs の短絡電流のコンビネーション波形です。DUT は各定格で5 回の正のサージと5 回の負のサージを受けます。各サージの間隔は1 分です。

表9. IEC 61000-4-5 のサージ試験レベル 1 これがEV-AD74416H-ARDZ で達成された性能です。
Level Voltage Peak (kV)
1 ±0.5
21 ±11
3 ±2
4 ±4

サージ試験ボードのセットアップ

サージは、AD74416H の出力ケーブルでテストされます。このケーブルは、無シールドでDUT に対し非対称動作する相互接続ラインおよび対称動作する相互接続ラインの両方として扱われます。サージは、カップリング・デカップリング・ネットワーク(CDN)117 を用いて入出力(I/O)ラインおよび検出ラインに印加されます。CDN が、DUT の仕様規定された機能条件に影響を与えることはありません。ESD 試験時の全体的な回路セットアップを、図6 および図7 に示します。

表10. サージ試験のセットアップ
Use Case Output Connected Load Cable Used EV Kit Jumpers Setting Surge Pulse Injection Approach
Voltage output +6V 1kΩ Unshielded 3-wire, P/N 1173L, 3C, 22 AWG, 2 meters Configuration 2 ±1.2kV, differential injections towards GND at each line, 3-wire feedback sensing enabled
Voltage output ±6V 1kΩ Unshielded 2-wire, P/N 1172C, 2C, 22 AWG, 2 meters Configuration 2 ±1.2kV, common-mode injection, 2-wire feedback sensing enabled
Voltage output ±6V 1kΩ Unshielded 2-wire, P/N 1172C, 2C, 22 AWG, 2 meters Configuration 2 ± 1.2 kV, common-mode injection, 4-wire feedback sensing enabled, I/ON_x and ISN_x shorted at output screw terminal
Digital output ~227mA ~100Ω Unshielded 2-wire, P/N 1172C, 2C, 22 AWG, 2 meters Configuration 1 ±1.2kV, common-mode injection
Digital output (smart diode enabled) ~227mA ~100Ω Unshielded 2-wire, P/N 1172C, 2C, 22 AWG, 2 meters Configuration 1 ±1.2kV, common-mode injection
図6. サージ試験セットアップの回路図
図6. サージ試験セットアップの回路図
図7. サージ試験セットアップの写真
図7. サージ試験セットアップの写真

サージ試験結果

表11~表14 は、EMC 試験中に収集したデータおよび試験結果を記載したものです。各試験の間、約1000 個の測定サンプルを収集して平均処理を行い、サージ試験がDUT の精度に与える影響を判定しました。

表11. サージ・デジタル出力試験 – レベル2、±1.2kV/クラス
Channel Function Pretest DMM Average (V) Pretest ADC Average (A) Posttest DMM Average (V) Posttest ADC Average (A) DMM Deviation (Pre and Post) (%) ADC Deviation (Pre and Post) (%)
CH_A_DO_ON +22.26702735 +0.217451657 +22.26319251 +0.218324898 −0.0172 +0.4016
CH_A_DO_OFF 7.50627E-05 0.000508626 8.68813E-05 0.000508626 ~0V ~0A
CH_A_DO_ON_SMRT +22.91819746 +0.226083643 +22.91758983 +0.225841198 −0.0027 −0.1072
CH_A_DO_OFF_SMRT 0.000158459 0.000508626 7.47942E-05 0.000508626 ~0V ~0A
CH_B_DO_ON +22.26226555 +0.218695747 +22.26397443 +0.21819445 +0.0077 −0.2292
CH_B_DO_OFF 8.99763E-05 0.000508626 9.65352E-05 0.000508626 ~0V ~0A
CH_B_DO_ON_SMRT +22.92435241 +0.225295572 +22.92566065 +0.22464827 +0.0057 −0.2873
CH_B_DO_OFF_SMRT 8.99294E-05 0.000508626 8.95609E-05 0.000508626 ~0V ~0A
CH_C_DO_ON +22.25960502 +0.21954974 +22.26218398 +0.219018674 +0.0116 −0.2419
CH_C_DO_OFF 0.000156521 0.000508626 7.61999E-05 0.000508626 ~0V ~0A
CH_C_DO_ON_SMRT +22.91193522 +0.226724911 +22.91034187 +0.226731543 −0.0070 +0.0029
CH_C_DO_OFF_SMRT 0.000165433 0.000508626 6.90246E-05 0.000508626 ~0V ~0A
CH_D_DO_ON +22.25406162 +0.21715805 +22.25516195 +0.216826395 +0.0049 −0.1527
CH_D_DO_OFF 0.000155781 0.000508626 7.38117E-05 0.000508626 ~0V ~0A
CH_D_DO_ON_SMRT +22.91041748 +0.224284303 +22.91020686 +0.224085241 −0.0009 −0.0888
CH_D_DO_OFF_SMRT 0.000156915 0.000508626 9.03183E-05 0.000508626 ~0V ~0A
表12. サージ電圧出力(4 線式フィードバック検出を有効化、出力スクリュー端子でI/ON_x とISN_x を短絡)試験 – レベル2、±1.2kV/クラスB 1 インダクタでのDC 電圧降下があるため、およびADC とDMM 測定の間に差異がある可能性があるため、電圧はCDN 117 フィルタ(インダクタ)の後段でDMM により測定します。なお、2 線のみのケーブルが用いられているため、4 線式検出は、出力スクリュー端子方向に行われ、接続される負荷方向には行われない点に注意してください。この4 線式検出は、アクティブに動作しているときにサージ・イベントが発生した場合の検出ピンの堅牢性を試験するために有効化されています。
Channel Function Pretest DMM Average (V) Pretest ADC Average (V) Posttest DMM Average (V) Posttest ADC Average (V) DMM Deviation (Pre and Post) (ppmFS) ADC Deviation (Pre and Post) (ppmFS)
CH_A_bi6V +5.9790856121 +6.003617501 +5.979079413 +6.003656119 −0.258285947 +1.609091665
CH_A_bi-6V −5.9762258591 −6.000985789 −5.976146195 −6.00093439 +3.319325572 +2.141618261
CH_B_bi6V 5.9818503281 6.006416305 5.981961022 6.006562188 4.612267157 6.078446613
CH_B_bi-6V −5.9758131651 −6.000575549 −5.975822832 −6.000612105 −0.402774101 −1.523132418
CH_C_bi6V +5.978052561 +6.002692172 +5.97798388 +6.002655594 −2.861687091 −1.524067393
CH_C_bi-6V −5.9777855761 −6.002639454 −5.977770189 −6.00264883 +0.641121732 −0.390702603
CH_D_bi6V +5.982201561 +6.006950241 +5.982084253 +6.006865674 −4.887819445 −3.523627917
CH_D_bi-6V −5.9751449571 −6.000109269 −5.975169647 −6.000082059 −1.028746732 +1.133715405
表13. サージ電圧出力(2 線式フィードバック検出を有効化)試験 – レベル2、±1.2kV/クラスB
Channel Function Pretest DMM Average (V) Pretest ADC Average (V) Posttest DMM Average (V) Posttest ADC Average (V) DMM Deviation (Pre and Post) (ppmFS) ADC Deviation (Pre and Post) (ppmFS)
CH_A_bi6V 6.005756608 6.004247214 6.005762461 6.004266066 0.243845588 0.785495721
CH_A_bi-6V −6.002207412 −6.000883213 −6.00219723 −6.00088299 +0.424229575 +0.009291312
CH_B_bi6V +6.008516377 +6.006957178 +6.008465721 +6.006913154 −2.110687092 −1.834303725
CH_B_bi-6V −6.001761981 −6.000407283 −6.001773033 −6.000420584 −0.460496324 −0.554206325
CH_C_bi6V 6.004610393 6.003095609 6.004637334 6.00312969 1.12255433 1.420051444
CH_C_bi-6V −6.003803561 −6.002461038 −6.003797568 −6.002456647 +0.249704656 +0.182962885
CH_D_bi6V +6.008860194 +6.007366677 +6.00864293 +6.007161411 −9.052660131 −8.552740602
CH_D_bi-6V −6.001240897 −5.999965478 −6.00123614 −5.999961166 +0.198211601 +0.179690473
表14. 差動サージ試験 - 電圧出力(3 線式フィードバック検出を有効化) – レベル2、±1.2kV/クラスB
Channel Function Pretest DMM Average (V) Pretest ADC Average (V) Posttest DMM Average (V) Posttest ADC Average (V) DMM Deviation (Pre and Post) (ppmFS) ADC Deviation (Pre and Post) (ppmFS)
CH_A_bi6V 5.993019217 6.017399289 5.993125637 6.017598621 4.434187092 8.305498198
CH_B_bi6V 5.995737393 6.020163575 5.995818788 6.020294864 3.391472222 5.470362364
CH_C_bi6V +5.991887071 +6.016385811 +5.991790021 +6.016287916 −4.043777778 −4.078944524
CH_D_bi6V +5.996042171 +6.020576811 +5.995964225 +6.020470368 −3.247749183 −4.435111495

サージ試験のまとめ

EV-AD74416H-ARDZ は、サージ試験を最大サージ・レベル2(±1.2kV)で合格しました。

電圧出力の測定結果およびサージ印加前(pre)と印加後(post)の性能比較によれば、最大絶対偏差は10ppmFS 未満であり、最も一般的な偏差は4ppmFS 程度もしくはそれ未満です。

差動サージ電圧出力試験中、ADC の飽和エラーを示すフラグが発生しました。これは何の問題も引き起こしません。高電圧スパイクは(保護抵抗を介して)ADC 入力に直接混入されるためです。印加中、ADC が測定する電圧は、一時的にADC のレンジ(±12V)より高くなります。

デジタル出力電圧の測定結果およびサージ印加前と印加後の性能比較によれば、最大絶対偏差は0.5%未満であり、最も一般的な偏差は0.1%程度もしくはそれ未満です。

これらの結果に基づき、EV-AD74416H-ARDZ システムでのAD74416H は、サージの観点から堅牢であるとみなされ、レベル2(±1.2kV)をクラスB 性能で満たします。

EFT EMC 試験

IEC 61000-4-4 に従い、DUT の試験は、アナログ入力ケーブルに2000V の放電を加えることによって行います。正負両極性の放電を印加します。各試験の継続時間は1 分です。トランジェント波形およびバースト波形は、IEC 61000-4-4 に従い、立上がり時間が5ns、パルス幅が50ns です。試験では、5kHz および100kHz の繰り返し周波数が用いられています。厚さ0.25 ㎜以上の銅シートで覆い保護接地システムに接続した、高さ0.8m の木製テーブルを使用します。DUTは0.1mの厚さの絶縁支持体の上に置きます。DUTと試験室の壁との間には最低0.5mの距離を設けます。

表15. IEC 61000-4-5 のサージ試験レベル 1 これがEV-AD74416H-ARDZ で達成された性能です。
Level Voltage Peak (kV) Repetition Frequency (kHz)
1 ±0.25 5 or 100
2 ±0.5 5 or 100
3 ±1 5 or 100
41 ±21 5 or 1001

EFT 試験ボードのセットアップ

EFT 試験では、ケーブル・クランプを使用して信号をDUT ケーブルに注入します。AD74416H の代表的な動作モードは、EFT試験中にDUT 内の各ブロックの堅牢性を確保できるように選択されています。

ESD 試験時の全体的な回路セットアップを、図8 および図9 に示します。

表16. EFT テストのセットアップ 1 N/A は該当なしを意味します。
Use Case Output Connected Load Cable Used EV Kit Jumpers Setting Note
Voltage output ±6V 1kΩ Shielded 3-wire, P/N 1293C, 3C, 22 AWG, 3 meters Configuration 2 ±2kV, 5kHz, and 100kHz, 3-wire feedback sensing enabled
Current output ±10mA 1kΩ Shielded 2-wire, P/N 2211C, 1PR, 22 AWG, 3 meters Configuration 2 ±2kV, 5kHz, and 100kHz
3-wire RTD N/A1 1kΩ Shielded 3-wire, P/N 1293C, 3C, 22 AWG, 3 meters Configuration 2 ±2kV, 5kHz, and 100kHz
Digital input (buffered input) Sink ~2.4mA ~24V Unshielded 2-wire, P/N 1172C, 2C, 22 AWG, 3 meters Configuration 1 ±2kV, 5kHz, and 100kHz, enabled digital counter to achieve Class A performance, 8V threshold, Type I, Type II recommendation—current sink, Code 20
Digital input (unbuffered input) Sink ~2.4mA ~24V Unshielded 2-wire, P/N 1172C, 2C, 22 AWG, 3 meters Configuration 1 ±2kV, 5 kHz, and 100kHz, enabled digital counter to achieve Class A performance, 8V threshold, Type I, Type II recommendation—current sink, Code 20
Digital output (smart diode enabled) ~227mA ~100Ω Unshielded 2-wire, P/N 1172C, 2C, 22 AWG, 3 meters Configuration 1 ±2kV, 5 kHz, and 100kHz, enabled digital counter to achieve Class A performance
Digital output (smart diode disabled) ~227mA ~100Ω Unshielded 2-wire, P/N 1172C, 2C, 22 AWG, 3 meters Configuration 1 ±2kV, 5 kHz, and 100kHz, enabled digital counter to achieve Class A performance
図8. EFT 試験セットアップの回路図
図8. EFT 試験セットアップの回路図
図9. EFT 試験セットアップの写真
図9. EFT 試験セットアップの写真

EFT テストの結果

表17~表21 は、EMC 試験中に収集したデータおよび試験結果を記載したものです。各試験の間、約1000 個の測定サンプルを収集して平均処理を行い、EFT 試験がDUT の精度に与える影響を判定しました。デジタル入力試験およびデジタル出力試験の間、デジタル・カウンタがイネーブルされており、試験前後のカウンタの読取り値が評価されます。

表17. EFT 電流出力試験 – レベル4、±2kV/クラスB 1 計算された電流値は、接続した500.2Ω の負荷に基づきます。
Channel Function1 Pretest DMM Average (mA) Pretest ADC Average (mA) Posttest DMM Average (mA) Posttest ADC Average (mA) DMM Deviation (Pre and Post) (ppmFS) ADC Deviation (Pre and Post) (ppmFS)
CH_A_10mA +10.00421566 +10.00805229 +10.00417209 +10.0080314 −1.742726438 −0.835533276
CH_B_10mA +10.00125817 +10.00488043 +10.00123681 +10.00487427 −0.854345319 −0.24628605
CH_C_10mA +9.999841702 +10.00355804 +9.999767647 +10.00349355 −2.962165722 −2.579498704
CH_D_10mA +10.002939 +10.00678848 +10.00283586 +10.00670458 −4.125405524 −3.356039966
表18. EFT 電圧出力試験 – レベル4、±2kV/クラスB
Channel Function Pretest DMM Average (V) Pretest ADC Average (V) Posttest DMM Average (V) Posttest ADC Average (V) DMM Deviation (Pre and Post) (ppmFS) ADC Deviation (Pre and Post) (ppmFS)
CH_A_bi6V 6.004288313 6.004343487 6.004339441 6.00443313 2.130316994 3.735107534
CH_A_bi-6V −6.001569726 −6.001850566 −6.001474663 −6.001762138 +3.960942402 +3.684502022
CH_B_bi6V 6.007141284 6.007197733 6.00720344 6.007270367 2.589842728 3.02639662
CH_B_bi-6V −6.001060368 −6.001307584 −6.001076364 −6.001325513 −0.666487337 −0.747044881
CH_C_bi6V 6.003460685 6.003566473 6.003506279 6.003616846 1.899739378 2.098901599
CH_C_bi-6V −6.003018912 −6.003298837 −6.003022444 −6.003302755 −0.147145834 −0.163269978
CH_D_bi6V +6.007527461 +6.007673513 +6.007453293 +6.007598744 −3.090361111 −3.115394536
表19. EFT 3 線式RTD 試験 – レベル4、±2kV/クラスB 1 負荷の測定抵抗値は1000.12Ω です。
Channel Function1 Pretest DMM Average (V) Pretest ADC Average (Ω) Posttest DMM Average (V) Posttest ADC Average (Ω) DMM Deviation (Pre and Post) (%) ADC Deviation (Pre and Post) (ppm)
CH_A_RTD3W 0.496613138 999.8527807 0.49665881 999.8592397 0.0092 6.459945952
CH_B_RTD3W 0.498422431 999.8805682 0.498585006 999.8897823 0.0326 9.21525613
CH_C_RTD3W +0.500191459 999.8392436 +0.500117048 999.8363445 −0.0149 −2.899536186
CH_D_RTD3W 0.493476857 999.7242131 0.493501285 999.7288876 0.0050 4.675807212
表20. EFT デジタル入力試験 – レベル4、±2kV/クラスA
Channel Function Pretest DMM Average (V) Pre-Digital Input Counter (−) Posttest DMM Average (V) Post-Digital Input Counter (−) DMM Deviation (Pre and Post) (ppm) Digital Input Counter Deviation (Pre and Post)
CH_A_DIN_BUF +23.99104351 5 +23.99094821 5 −3.971145833 0
CH_A_DIN_UNBUF +23.99085104 6 +23.99091221 6 +2.548611111 0
CH_B_DIN_BUF +23.99091241 5 +23.9907747 5 −5.738194445 0
CH_B_DIN_UNBUF +23.99080289 6 +23.99068604 6 −4.869027777 0
CH_C_DIN_BUF +23.99087221 5 +23.9907973 5 −3.121562499 0
CH_C_DIN_UNBUF +23.99086004 6 +23.99074612 6 −4.746458333 0
CH_D_DIN_BUF +23.99100253 5 +23.99100368 5 +0.04829861 0
CH_D_DIN_UNBUF +23.99090919 6 +23.99089878 6 −0.433923611 0
表21. EFT デジタル出力試験 – レベル4、±2kV/クラスA
Channel Function Pretest DMM Average (V) Pretest ADC Average (A) Pre-Digital Input Counter (−) Posttest DMM Average (V) Posttest ADC Average (A) Post-Digital Input Counter (−) DMM Deviation (Pre and Post) (%) ADC Deviation (Pre and Post) (%) Digital Input Counter Deviation (Pre and Post)
CH_A_DO_ON +22.18191112 +0.220095516 4 +22.18073968 +0.220227958 4 −0.0053 +0.0602 0
CH_A_DO_OFF +7.72227E-05 +0.000508626 3 +7.36202E-05 +0.000508626 3 ~0V ~0A 0
CH_A_DO_ON_SMRT +22.82799631 +0.227894503 4 +22.82771023 +0.227689257 4 −0.0013 −0.0901 0
CH_A_DO_OFF_SMRT +0.000186727 +0.000508626 3 +8.54228E-05 +0.000508626 3 ~0V ~0A 0
CH_B_DO_ON +22.184673 +0.219407873 4 +22.18568543 +0.219287249 4 +0.0046 −0.0550 0
CH_B_DO_OFF +0.000183689 +0.000508626 3 +7.85697E-05 +0.000508626 3 ~0V ~0A 0
CH_B_DO_ON_SMRT +22.82747181 +0.226931055 4 +22.82707089 +0.226787542 4 −0.0018 −0.0632 0
CH_B_DO_OFF_SMRT +0.000188705 +0.000508626 3 +8.38924E-05 +0.000508626 3 ~0V ~0A 0
CH_C_DO_ON +22.18052936 +0.219714595 4 +22.18144117 +0.219588785 4 +0.0041 −0.0573 0
CH_C_DO_OFF +0.000185431 +0.000508626 3 +8.20467E-05 +0.000508626 3 ~0V ~0A 0
CH_C_DO_ON_SMRT +22.82604993 +0.227262809 4 +22.82566506 +0.227161233 4 −0.0017 −0.0447 0
CH_C_DO_OFF_SMRT +0.000187416 +0.000508626 3 +7.79442E-05 +0.000508626 3 ~0V ~0A 0
CH_D_DO_ON +22.1757465 +0.217481975 4 +22.17651945 +0.217429965 4 +0.0035 −0.0239 0
CH_D_DO_OFF +0.000179704 +0.000508626 3 +8.50584E-05 +0.000508626 3 ~0V ~0A 0
CH_D_DO_ON_SMRT +22.82576229 +0.224975187 4 +22.82556079 +0.224814521 4 −0.0009 −0.0714 0
CH_D_DO_OFF_SMRT +0.000188933 +0.000508626 3 +8.39961E-05 +0.000508626 3 ~0V ~0A 0

EFT 試験のまとめ

EV-AD74416H-ARDZは、EFT試験を最大EFT レベル4(±2kV)で合格しました。

測定結果およびEFT 印加前(pre)と印加後(post)の性能比較によれば、最大絶対偏差は10ppmFS 未満であり、最も一般的な偏差は4ppmFS 程度もしくはそれ未満です。

デジタル出力電圧の測定結果およびEFT 印加前と印加後の性能比較によれば、最大絶対偏差は0.1%未満です。

デジタル入力試験およびデジタル出力試験の間、入力カウンタがイネーブルされているため、EFT 試験中はDUT が確実にモニタされています。

入力電圧コンパレータは8Vに設定されており、スクリュー端子の変化を確実に検出できるよう、バウンス防止時間はバイパスされています。試験前後でカウンタのカウント数に差はありません。これは、EFT 試験中でも動作に中断がなく、これらのモードのクラスA 性能が実現されていることを示しています。

これらの結果に基づき、EV-AD74416H-ARDZ システムでのAD74416H は、EFT の観点から堅牢であるとみなされ、レベル4(±2kV)をデジタル出力モードおよびデジタル入力モードについてはクラスA 性能、その他のモードについてはクラスB 性能で満たします。