MAX11836

I²Cインタフェース内蔵、TacTouch™ハプティックアクチュエータおよびタッチ圧測定コントローラ

業界初、タッチ操作可能な機器を対象とした、完全フライバックベースの任意波形コントローラソリューション

利用上の注意

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なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」(リビジョン0)で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」(Rev.G)と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。

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製品の詳細

  • フォースセンス抵抗用の4つの検出入力、またはスレッショルドトリガ付きの4つの独立した10ビットADC入力
  • 設定可能なFSRスキャンレート
  • 2.7Vでの低電力動作
    • FSR圧力スキャニング消費電流(13Hzにて):15µA以下
    • ディープスリープシャットダウン電流:1µA以下
  • 複数の高電圧または低電圧のハプティックアクチュエータをサポート
    • 単層/積層ピエゾアクチュエータ、電気活性ポリマー
  • 最大8ビットの分解能を備えたユーザー設定可能なカスタム波形を作成
  • 最大192バイトの複数のハプティック波形記憶を内蔵
  • DCブーストレギュレータを内蔵
    • 最大ピーク電流を設定可能な30V高電圧ブーストスイッチを内蔵
    • フライバックコンバータによる高電圧ブースト電源の生成
    • バッテリアプリケーションの消費電流を最小限に抑える効率的な設計
  • 大電流イベント時に低電力ブーストコントローラ動作を無効または有効にするディセーブル入力(GSMBL)
  • ディジタル電源:1.8V~2.85V
  • ブースト/フライバック(VBAT)およびアナログ電源(VDD):2.7V~5.25V
  • 高速1MHz I²Cインタフェース
  • ESD保護:±1kV HBM、±1kV CDM、±200V MM
MAX11836
I²Cインタフェース内蔵、TacTouch™ハプティックアクチュエータおよびタッチ圧測定コントローラ
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