HMC424ALP3E
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HMC424ALP3E

0.1GHz~13.0GHz、0.5dB LSB、6ビットのGaAsデジタル・アッテネータ

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製品モデル 2
1Ku当たりの価格
価格は未定
特長
  • 減衰範囲:0.5dB(LSB)ステップで31.5dBまで
    • ±0.5dBのステップ誤差(代表値)
  • 低挿入損失:2.8dB(4GHz)
  • VEE = −3Vで高い直線性
    • 入力P0.1dB:22dBm(代表値)
    • 入力IP3:45dBm(代表値)
  • 高いRF入力電力処理能力:25dBm(最大値)
  • 低相対位相:30°(代表値)(6.0GHz)
  • 単電源動作:−3V~−5V
  • 16ピン、3mm × 3mm LFCSPパッケージ
製品概要
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HMC424ALP3Eは、低コストのリードレス表面実装パッケージを使用した6ビットの広帯域ガリウム・ヒ素(GaAs)デジタル・アッテネータで、31.5dBの減衰制御範囲を0.5dBステップで実現します。

±(0.2dB + 減衰状態の4%)の優れた減衰精度と高い入力直線性を持ち、代表的な挿入損失は、0.1GHz~13.0GHzの仕様規定された周波数範囲全域で4dB未満です。31.5dBの合計減衰に対するアッテネータのビット値は、0.5dB(LSB)、1dB、2dB、4dB、8dB、16dBで、ステップ誤差は±0.5dB(代表値)です。

0V~VEEの範囲で切り替わる6種類の並列制御入力を使用して、減衰状態をプログラムできます。

HMC424ALP3Eは、−3V~−5Vの単一負電源で動作し、CMOS/トランジスタ・トランジスタ・ロジック(TTL)インターフェースでインターフェース接続するには外部レベル・シフタが必要です。

HMC424ALP3Eは、RoHS準拠のコンパクトな3mm × 3mm、16ピン・リード・フレーム・チップ・スケール・パッケージ(LFCSP)を採用しています。

アプリケーション

  • セルラ・インフラストラクチャ
  • マイクロ波無線および超小型地球局(VSAT)
  • 試験装置およびセンサー
  • 中間周波数(IF)設計およびRF設計
  • 防衛および宇宙

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製品モデル ピン/パッケージ図 資料 CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
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