類似製品
製品概要
機能と利点
- 無反射、50 Ω 設計
- 高アイソレーション: 2 GHz まで 57 dB
- 低挿入損失: 2 GHz まで 0.9 dB
- 高入力直線性
- 1 dB 圧縮ポイント(P1dB): 34 dBm(代表値)
- 3 次インターセプト・ポイント(IP3): 52 dBm(代表値)
- 大電力処理
- 33.5 dBm スルー・パス
- 26.5 dBm 終端パス
- 単電源: 3 V ~ 5 V
- CMOS/TTL 互換制御
- オール・オフ状態制御
- 露出パッド付き 8 ピン・ミニ・スモール・アウトライン・パッケージ(MINI_SO_EP)
製品概要
HMC349AMS8G は、ガリウム・ヒ素(GaAs)擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(PHEMT)の単極双投(SPDT)スイッチで、100 MHz ~ 4 GHz で仕様が規定されています。
このデバイスは、57 dB の高アイソレーション、0.9 dB の低挿入損失、52 dBm の高入力 IP3、34 dBm の高入力 P1dB を示すことから、セルラ・インフラストラクチャ・アプリケーションに最適です。
3 V ~ 5 V の単電源で動作し、CMOS/TTL 互換制御インターフェースを提供します。
パッケージは、露出パッド付き 8 ピン・ミニ・スモール・アウトライン・パッケージです。
アプリケーション- セルラ/4G インフラストラクチャ
- ワイヤレス・インフラストラクチャ
- モバイル無線
- 試験装置
製品ライフサイクル
製造中
この製品ファミリーの1つ以上の型番が生産/供給中です。新規の設計に適していますが、より新しい代替製品を提供している場合があります。
評価キット (1)
参考資料
-
RF/マイクロ波/ミリ波IC セレクション・ガイド11/2/2022PDF7 M
-
Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-J (QTR: 2013-00285)10/29/2015PDF1 M
-
MSOP 8 & 10 Tape Specification (MS8, MS8G, MS10, MS10G)4/1/2015PDF440 K
ツールおよびシミュレーション
S-Parameters
設計ツール
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。
製品番号 | 材料宣誓書(MD) | 信頼性データ | ピン/パッケージ図 | CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル |
---|---|---|---|---|
HMC349AMS8G | 材料宣誓書(MD) | 信頼性データ | 8-Lead MSOP w/ EP | |
HMC349AMS8GE | 材料宣誓書(MD) | 信頼性データ | 8-Lead MSOP w/ EP | |
HMC349AMS8GETR | 材料宣誓書(MD) | 信頼性データ | 8-Lead MSOP w/ EP | |
HMC349AMS8GTR | 材料宣誓書(MD) | 信頼性データ | 8-Lead MSOP w/ EP | |
ウェハ・ファブリケーション・データ |
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サンプル&購入
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