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製品概要

機能と利点

  • 無反射、50 Ω 設計
  • 高アイソレーション: 2 GHz まで 57 dB 
  • 低挿入損失: 2 GHz まで 0.9 dB
  • 高入力直線性
    • 1 dB 圧縮ポイント(P1dB): 34 dBm(代表値) 
    • 3 次インターセプト・ポイント(IP3): 52 dBm(代表値)
  • 大電力処理
    • 33.5 dBm スルー・パス
    • 26.5 dBm 終端パス
  • 単電源: 3 V ~ 5 V
  • CMOS/TTL 互換制御
  • オール・オフ状態制御
  • 露出パッド付き 8 ピン・ミニ・スモール・アウトライン・パッケージ(MINI_SO_EP)

製品概要

HMC349AMS8G は、ガリウム・ヒ素(GaAs)擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(PHEMT)の単極双投(SPDT)スイッチで、100 MHz ~ 4 GHz で仕様が規定されています。 

このデバイスは、57 dB の高アイソレーション、0.9 dB の低挿入損失、52 dBm の高入力 IP3、34 dBm の高入力 P1dB を示すことから、セルラ・インフラストラクチャ・アプリケーションに最適です。 

3 V ~ 5 V の単電源で動作し、CMOS/TTL 互換制御インターフェースを提供します。 

パッケージは、露出パッド付き 8 ピン・ミニ・スモール・アウトライン・パッケージです。 

アプリケーション
  • セルラ/4G インフラストラクチャ
  • ワイヤレス・インフラストラクチャ 
  • モバイル無線 
  • 試験装置

製品ライフサイクル icon-recommended 製造中

この製品ファミリーの1つ以上の型番が生産/供給中です。新規の設計に適していますが、より新しい代替製品を提供している場合があります。

評価キット (1)

ツール

S-Parameters

設計リソース

ADI has always placed the highest emphasis on delivering products that meet the maximum levels of quality and reliability. We achieve this by incorporating quality and reliability checks in every scope of product and process design, and in the manufacturing process as well.  "Zero defects" for shipped products is always our goal.

PCN-PDN Information

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価格は1個当たりの米ドルで、米国内における販売価格(FOB)で表示されておりますので、予算のためにのみご使用いただけます。 また、その価格は変更 されることがあります。米国以外のお客様への価格は、輸送費、各国の税金、手数料、為替レートにより決定されます。価格・納期等の詳細情報については、弊社正規販売代理店または担当営業にお問い合わせください。なお、 評価用ボードおよび評価用キットの表示価格は1個構成としての価格です。

 

モデル一覧の項目説明

 

 

 

評価用ボード 表示されている価格は、1個あたりの価格です。
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