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2648: 256k不揮発性SRAM Data Sheet (Rev. 4)1/1/1900PDF216K
製品概要
機能と利点
- 外部電源なしで最低10年間データを保持
- 停電中は、データを自動的に保護
- 32k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
- 無制限の書込みサイクル
- 低電力CMOS
- 70nsの読取り/書込みアクセス時間
- 電源が初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
- 最大±10% VCCの動作範囲(DS1230Y)
- オプションとして、±5% VCCの動作範囲(DS1230AB)
- オプションとして、-40℃～+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
- JEDEC規格準拠28ピンDIPパッケージ
- PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
- 直接表面実装可能なモジュール
- 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を実装
- すべての不揮発性SRAM製品を考慮し標準化したピン配列
- 一般のスクリュードライバでPowerCapの取外しは容易
製品概要
256k不揮発性(NV) SRAMのDS1230は、262,144ビット(32,768ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視しています。VCCが許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊を防止します。DIPパッケージのDS1230デバイスは、通常のバイト長の28ピンDIP規格に適合した既存の32k x 8スタティックRAMと置換使用できます。また、このDIPデバイスは、ピン配列が28256 EEPROMと同一なので、性能を向上させる際にそのまま置換使用できます。薄型モジュールパッケージで提供されるDS1230は、そのまま表面実装することができます。実行可能な書込みサイクル数に制限はなく、マイクロプロセッサとのインタフェースに対し回路を追加する必要がありません。
製品カテゴリ
製品ライフサイクル
製造中
この製品ファミリーの1つ以上の型番が生産／供給中です。新規の設計に適していますが、より新しい代替製品を提供している場合があります。
参考資料
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DS1230Y Reliability Data1/12/2023PDF76K
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マキシム製品におけるリチウムバッテリ3/14/2011
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Substitution Rules for Nonvolatile Memory Components1/12/2011
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Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM9/11/2008
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Timing Considerations When Using NVSRAM3/20/2006
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NV SRAM Frequently Asked Questions5/14/2002
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。
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