DS1230AB
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256k不揮発性SRAM

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2648: 256k不揮発性SRAM Data Sheet

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製品モデル 10
1Ku当たりの価格 最低価格：$20.55
特長
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 32k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源が初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • 最大±10% VCCの動作範囲(DS1230Y)
  • オプションとして、±5% VCCの動作範囲(DS1230AB)
  • オプションとして、-40℃～+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
  • JEDEC規格準拠28ピンDIPパッケージ
  • PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
    • 直接表面実装可能なモジュール
    • 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を実装
    • すべての不揮発性SRAM製品を考慮し標準化したピン配列
    • 一般のスクリュードライバでPowerCapの取外しは容易
製品概要
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256k不揮発性(NV) SRAMのDS1230は、262,144ビット(32,768ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視しています。VCCが許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊を防止します。DIPパッケージのDS1230デバイスは、通常のバイト長の28ピンDIP規格に適合した既存の32k x 8スタティックRAMと置換使用できます。また、このDIPデバイスは、ピン配列が28256 EEPROMと同一なので、性能を向上させる際にそのまま置換使用できます。薄型モジュールパッケージで提供されるDS1230は、そのまま表面実装することができます。実行可能な書込みサイクル数に制限はなく、マイクロプロセッサとのインタフェースに対し回路を追加する必要がありません。

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DS1230AB

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更新 11/23/2010
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DS1230AB-DS1230Y: 256k Nonvolatile SRAM Data Sheet (Rev.4)

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更新 01/01/1900
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信頼性データ

1

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更新 01/12/2023
English
DS1230AB Reliability Data redirect icon

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アプリケーション・ノート

1

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更新 01/16/2002
English
Adding Nonvolatile SRAM into Embedded Systems redirect icon

技術記事

1

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更新 05/14/2002
English
NV SRAM Frequently Asked Questions redirect icon

デザイン・ノート

8

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更新 09/11/2008
English
Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM redirect icon

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更新 03/27/2009
English
How to Replace a DS1213 SmartSocket with an Equivalent-Density NV SRAM Module redirect icon

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HTML

更新 01/12/2011
English
Substitution Rules for Nonvolatile Memory Components redirect icon

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更新 04/27/2011
中国語
非易失存储器的替代规则 redirect icon

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更新 03/14/2011
English
Lithium Battery Content in Maxim Products redirect icon

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更新 07/24/2011
中国語
Maxim产品中的内嵌锂电池\r\n redirect icon

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更新 03/14/2011
日本語
マキシム製品におけるリチウムバッテリ redirect icon

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更新 03/20/2006
English
Timing Considerations When Using NVSRAM redirect icon

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アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ･デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。


本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.G）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。

ドキュメント

技術資料 10
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データシート 2

DS1230AB-DS1230Y: 256k Nonvolatile SRAM Data Sheet (Rev.4)
2648: 256k不揮発性SRAM Data Sheet

信頼性データ 1

DS1230AB Reliability Data

アプリケーション・ノート 1

Adding Nonvolatile SRAM into Embedded Systems

デザイン・ノート 5

マキシム製品におけるリチウムバッテリ
Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM
How to Replace a DS1213 SmartSocket with an Equivalent-Density NV SRAM Module
Substitution Rules for Nonvolatile Memory Components
Timing Considerations When Using NVSRAM

技術記事 1

NV SRAM Frequently Asked Questions
アナログ・デバイセズは、最高レベルの品質と信頼性を満たす製品を供給することを常に最重要視しています。これを実現するため、製品、プロセス設計、更には製造プロセスに対しあらゆる観点から品質と信頼性のチェックを行っています。アナログ・デバイセズでは出荷製品に対する「ゼロ・ディフェクト」を常に目指しています。詳細については、アナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム、認証のページを参照してください。
製品モデル ピン／パッケージ図 資料 CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
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DS1230AB-120+ Encapsulated Dual-In-Line Module external-link
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DS1230AB-70IND+ Encapsulated Dual-In-Line Module external-link
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DS1230ABP-100+ PowerCap Module external-link
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