ADRF5473
新規設計に推奨キャリア配置ダイ、シリコン・デジタル減衰器、0.5dB LSB、6ビット、100MHz～40GHz
- 製品モデル
- 3
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品情報
- 超広帯域周波数範囲：100MHz～40GHz
- 減衰範囲：0.5dBステップで31.5dB
- ワイヤ・ボンドおよびリボン・ボンド用ボンド・パッド
- 低挿入損失
- 1.7dB（代表値、18GHzまで）
- 2.2dB（代表値、26GHzまで）
- 3.2dB（代表値、40GHzまで）
- 減衰精度
- ±（0.10 + 2.0%の減衰状態）代表値、26GHzまで
- ±（0.13 + 1.5%の減衰状態）代表値、35GHzまで
- ±（0.30 + 1.5%の減衰状態）代表値、40GHzまで
- ステップ誤差（代表値）
- ±0.12dB（代表値、26GHzまで）
- ±0.30dB（代表値、35GHzまで）
- ±0.60dB（代表値、40GHzまで）
- 高入力直線性
- 挿入損失状態（P0.1dB）：31dBm（代表値）
- その他の減衰状態（P0.1dB）：28dBm（代表値）
- IP3：50dBm（代表値）
- 大RF電力処理
- 26dBm（定常状態、平均）
- 31dBm（定常状態、ピーク）
- 緊密な分布の相対位相
- 低周波数スプリアス・シグナルなし
- SPIおよびパラレル・モード制御、CMOS/LVTTL互換
- RF振幅のセトリング・タイム（最終RF出力の0.1dBまで）:250ns
- 18パッド、3.171mm × 1.616mm、キャリア配置ダイ（チップ）
ADRF5473は6ビットのデジタル減衰器で、ガリウム・ヒ素（GaAs）キャリア基板に取り付けられています。減衰制御範囲は0.5dBステップで31.5dBです。基板にはチップとワイヤ・アセンブリ用のボンド・パッドが搭載され、デバイス底面はメタライズされており、グラウンドに接続されます。
このデバイスは、3.2dBの挿入損失と優れた減衰精度より良好な状態で、100MHz～40GHzで動作します。ADRF5473には、すべての減衰状態で平均26dBm、ピーク31dBmのRF入力電力処理能力があります。
また、ADRF5473は+3.3Vと−3.3Vの両電源電圧を必要とし、デバイスは、シリアル・ペリフェラル・インターフェース（SPI）、パラレル・モード制御、および相補型金属酸化膜半導体（CMOS）／低電圧トランジスタtoトランジスタ・ロジック（LVTTL）の互換制御を特長としています。
ADRF5473は、50Ωの特性インピーダンスにマッチするように設計されています。
データシートで多機能パッドの機能の1つについて示している箇所では、関連するパッド名のみを示しています。多機能パッドのすべてのパッド名については、該当のセクションを参照してください。
アプリケーション
ドキュメント
データシート 2
ビデオ 2
製品選択ガイド 1
| 製品モデル | ピン／パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| ADRF5473BCZ | CHIPS OR DIE | ||
| ADRF5473BCZ-GP | CHIPS OR DIE | ||
| ADRF5473BCZ-SX | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。