ADRF5424
新規設計に推奨キャリア配置ダイ、シリコンSPDTスイッチ、100MHz～60GHz
- 製品モデル
- 3
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
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製品情報
- 超広帯域周波数範囲：100MHz～60GHz
- 反射設計
- ワイヤ・ボンドおよびリボン・ボンド用ボンド・パッド
- 低挿入損失
- 1.0dB（代表値、18GHzまで）
- 1.3dB（代表値、44GHzまで）
- 1.5dB（代表値、55GHzまで）
- 高入力直線性
- P1dB：28dBm（代表値）
- IP3：50dBm（代表値）
- 大RF電力処理
- スルー・パス：27dBm（40GHzまで）
- ホット・スイッチング：27dBm（40GHzまで）
- 低周波数スプリアス・シグナルなし
- RFセトリング・タイム（50% VCTRL～0.1dBの最終RF出力）:17ns
- 14パッド、2.471mm x 2.571mm、キャリア配置ダイ（チップ）
ADRF5424は、シリコン・プロセスを使って製造した単極双投（SPDT）反射スイッチで、ガリウム・ヒ素（GaAs）キャリア基板に取り付けられています。基板にはチップとワイヤ・アセンブリ用のボンド・パッドが搭載され、デバイス底面はメタライズされており、グラウンドに接続されます。
このデバイスは、1.5dBの挿入損失および35dBのアイソレーション（55GHz時）より良好な状態で、100MHz～60GHzで動作します。ADRF5424は、スルー・パスとホット・スイッチングの両方に対応する、27dBmの無線周波数（RF）入力電力処理機能（40GHzまで）を備えています。
ADRF5424では、+3.3Vの正側（供給）電源で14µA、−3.3Vの負電源で120µAの低電流が流れます。また、相補型金属酸化膜半導体（CMOS）／低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック（LVTTL）互換の制御を備えています。
ADRF5424は、50Ωの特性インピーダンスにマッチするように設計されています。
アプリケーション
ドキュメント
データシート 2
ビデオ 3
製品選択ガイド 1
| 製品モデル | ピン／パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| ADRF5424BCZ | CHIPS OR DIE | ||
| ADRF5424BCZ-GP | CHIPS OR DIE | ||
| ADRF5424BCZ-SX | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。