ADRF5420
新規設計に推奨フリップ・チップ、シリコンSPDTスイッチ、1GHz~90GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品情報
- 周波数範囲:1GHz~90GHz
- 低挿入損失
- 40GHzまで1.2dB(代表値)
- 67GHzまで1.7dB(代表値)
- 90GHzまで3.0dB(代表値)
- 高アイソレーション
- 40GHzまで42dB(代表値)
- 67GHzまで40dB(代表値)
- 81GHzまで30dB(代表値)
- 高入力直線性
- P0.1dB:24dBm(代表値)
- IP3:45dBm(代表値)
- 大RF入力電力処理
- スルー・パス:24dBm
- ホット・スイッチング:21dBm
- 低周波数スプリアスなし
- CMOS/LVTTL互換
- 高速RFスイッチング時間:15ns
- RFセトリング・タイム(50% VCTRL~0.1dBの最終RF出力):35ns
- 単電源動作可能(VDD = 3.3V、VSS = 0V)
- 30ボール、1.56mm × 2.04mmのバンプ付きベア・ダイで提供
ADRF5420は、シリコン・プロセスで製造された反射型単極双投(SPDT)スイッチです。このスイッチは1GHz~90GHzで動作し、3.0dB未満の低挿入損失と3dBを超えるアイソレーションを実現します。ADRF5420のRF入力電力処理機能は、スルー・パスで24dBm、ホット・スイッチングで21dBmです。
ADRF5420は、+3.3Vの正電源で130μA、-3.3Vの負電源で490μAという低消費電流を実現します。このデバイスでは、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)/低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック(LVTTL)互換の制御が採用されています。
また、ADRF5420は、正単電源電圧(VDD)を印加し、負電源電圧(VSS)をグラウンドに接続した状態でも動作できます。この動作条件では、スイッチング特性、直線性、電力処理性能はディレーティングされますが、小信号性能は維持されます。詳細については、データシートの表2を参照してください。
ADRF5420のRFポートは、50Ωの特性インピーダンスにマッチするように設計されています。ADRF5420は、30ボール、1.56mm x 2.04mmのバンプ付きベア・ダイで提供され、-40°C~+105°Cで動作可能です。
アプリケーション
- 試験および計測器
- セルラ・インフラストラクチャ:5Gミリ波
- 防衛用無線、レーダー、電子対抗手段(ECM)
- マイクロ波無線機、超小型地球局(VSAT)
ドキュメント
| 製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| ADRF5420BCDZ | BUMPED_DIE | ||
| ADRF5420BCDZ-R7 | BUMPED_DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
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