HMC849A

新規設計に推奨

高絶縁SPDT無反射型スイッチSMT、DC~6GHz

利用上の注意

本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」(リビジョン0)で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」(Rev.J)と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。

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製品情報

  • 高絶縁:最大60dB
  • 単電源ポジティブ制御:0/+3V~+5V
  • 高入力IP3:+52dBm
  • 無反射型設計
  • 全オフ状態
  • 16ピン4×4mm SMTパッケージ:16mm²

HMC849ALP4CEは、高絶縁の無反射型DC~6GHz GaAs pHEMT SPDTスイッチです。低コストのリードレス表面実装パッケージを使用しています。携帯電話/WiMAX/4Gインフラストラクチャ・アプリケーションに最適で、最大60dBの絶縁、0.8dBの低挿入損失、+52dBmの入力IP3という優れた性能を発揮します。5~6GHzのWiMAX帯まで全域にわたって優れた電力処理能力があり、P1dB圧縮点は+31dBmです。オンチップ回路により、ごくわずかなDC電流で0/+3Vまたは0/+5Vの単電源ポジティブ電圧制御が可能です。イネーブル入力(EN)をロジック・ハイに設定すると、スイッチは全オフ状態になります。


アプリケーション

  • 携帯電話/4Gインフラストラクチャ
  • WiMAX、WiBro、固定無線
  • 自動車用テレマティックス
  • 移動無線機
  • 試験装置

HMC849A
高絶縁SPDT無反射型スイッチSMT、DC~6GHz
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HMC8038 新規設計に推奨

高絶縁、シリコンSPDT、無反射型スイッチ、0.1GHz~6.0GHz

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ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。

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