HMC435A
新規設計に推奨
                            SPDT 無反射スイッチ、DC ~ 4 GHz
                        
- 製品モデル
 - 2
 - 1Ku当たりの価格
 - 価格は未定
 
製品情報
- 高アイソレーション:
1 GHz で 62 dB
2 GHz で 52 dB - 正電圧制御: 0 V/+5 V
 - 入力 IP3: 54 dBm
 
- 無反射設計
 - 超小型 MSOP-86 パッケージ: 
14.8 mm2 
HMC435AMS8G(E) は、GaAs MESFET を使用した DC ~ 4 GHz の無反射 SPDT スイッチで、低価格のエクスポーズド・グラウンド・パッド付き 8 ピン MSOP8G 表面実装パッケージを採用しています。最大 60 dB のアイソレーション、 0.8 dB の低挿入損失、+50 dBm の入力 IP3 が得られるこのスイッチは、セルラ/3G や WiMAX/4G のアプリケーションに最適です。このスイッチは +30 dBm の P1dB 圧縮ポイントを提供し、3.8 GHz の WiMAX 帯域に至るまで優れた電力処理を行います。内蔵回路により、非常に小さい DC 電流で 0 V/+5 V の正電圧制御を行うことができます。
アプリケーション
- 基地局および中継器
 - セルラ/3G および WiMAX/4G
 - インフラストラクチャおよびアクセス・ポイント
 - CATV/CMTS
 - 試験用計測器
 
ドキュメント
品質関連資料 1
テープ&リール仕様 1
製品選択ガイド 1
| 製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル | 
|---|---|---|---|
| HMC435AMS8GE | 8-Lead MSOP w/ EP | ||
| HMC435AMS8GETR | 8-Lead MSOP w/ EP | 
| 製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN | 
|---|---|---|
| 
                                                            5 6, 2019 - 19_0063 Assembly Site Transfer of Select MSOP and SOIC_N E-pad Devices to Carsem Malaysia  | 
                                                    ||
| HMC435AMS8GE | 製造中 | |
| HMC435AMS8GETR | 製造中 | |
| 
                                                            4 23, 2018 - 18_0055 Moisture Sensitivity Level Rating Change for Select Packaged Products  | 
                                                    ||
| HMC435AMS8GE | 製造中 | |
| HMC435AMS8GETR | 製造中 | |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ソフトウェア・リソース
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| 製品モデル | 製品ライフサイクル | 詳細 | 
|---|---|---|
| HMC8038 | 新規設計に推奨 | 
                                                     高絶縁、シリコンSPDT、無反射型スイッチ、0.1GHz~6.0GHz  | 
                                            
ツールおよびシミュレーション
ADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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